简介：从量子力学的不确定原理出发，推导出光源相干性和光束相干性的关系，并应用所得的结论对同步辐射X光束的空间相干性进行了物理分析，讨论了X光相干光学实验对X光束的一些要求。

简介：研究了FeMn／Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜，利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征，得到结果如下：插入Bi之前，在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在，插入Bi之后，FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且，在FeMn/Co界面处Fe，Mn，和Co的元素分布不相同。

简介：

简介：利用同步辐射X射线衍射和DAC高压技术在室温下测量了钙钛矿CaTiO3在压力0-34．6GPa下的结构变化．结果表明，随着压力的增加，CaTiO3的三个晶体轴都受到不同程度的压缩，没有证据表明有相变的发生．

简介：稀土硼酸盐在真空紫外（VUV）波段的吸收与化合物中硼酸根离子的结构有关，扩展Hueckel计算表明，硼酸根离子中的B－O成键轨道与B－O反键轨道能量差按BO4^5>B2O5^4->BO3^3->B3O9^9-顺序减小，这与VUV激发光谱的实验结果一致，表明VUV激发过程对应于电子从B－O成键轨道向反键轨道的跃迁。

简介：测定了真空蒸镀的WO3薄膜电致变色前后的谱，发现钨原子与周围的氧原子的作用距离随着阳离子（K^+,Li^+）注入电量的增加而增加，说明阳离子的注入对WO3的微结构有影响。

简介：利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。

简介：采用XAFS研究不同制备条件下超细Ni-P非晶态合金中Ni原子配位环境周围的局域结构。结果表明在pH小于11的条件下，样品的非晶化程度随pH的减小而增大；当pH为14时，样品中Ni的区域环境结构与金属Ni的相近。不同退火温度样品的XAFS结果表明，在300℃的温度下退火，超细Ni-P非晶态合金基本晶化生成晶态物相。

简介：采用EXAFS详细研究了系列Ni-Co-B非晶态合金催化剂的结构，结果表明：非晶态Ni-Co-B合金中的金属和非金属之间是一种共价化学键，Co的加入增加了Ni-B非晶态合金的无序度，而B含量的变化对Co-B、Ni-B配位有不同的影响，当样品中Ni、Co含量相同时，存在着协同作用。

简介：

简介：本文介绍我们近一年来开展单个流体包裹体同步辐射无损分析研究所取得的进展，建立适合分析包裹体的微区光斑观测和地准系统，解决样品的制备问题，对一批典型的流体包裹体的微量元素分布作了探测，并由较大包裹体发展到较小包裹体，由定性分析逐步发展到定量分析研究。

简介：全反射荧光分析（TXRF）比常规荧光分析（XRF）具有更高的灵敏度。我们在北京正负电子对撞机同步辐射3W1A新光束线改建的同步辐射荧光站上（更换了新探测器及相应谱仪系统）。用TXRF对肺癌细胞和宫颈癌细胞进行了凋亡前后的研究，得到了这些细胞凋亡前后的荧光谱。从分析这些谱的结果我们可以看到，凋亡前后这些癌细胞中某些微量元素的含量有了变化，甚至是明显变化。从这些变化中我们可得到一些启发，如果能找到它们的变化规律是否可为治疗癌症做一点贡献呢？

简介：

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简介：介绍了利用北京同步辐射实验室的全反射X射线荧光谱仪测量生物细胞样品的可行性。并用此谱仪测量了正常的和辐照的小白鼠小肠细胞的痕量元素含量，发现K、Ca、Fe等元素含量有明显的提高，Cu元素含量明显降低，Mn元素含量变化不大，Zn元素含量基本稳定，并讨论了其在临床医学上的重要价值。

简介：

简介：本文介绍了用同步辐射微束X射线荧光法对单个藻细胞的研究方法，在北京同步辐射荧光站上首次实现了单细胞水平的测量。报道了单个藻细胞摄取金属离子前后细胞内元素含量的变化。

简介：采用XAFS方法研究浸渍法制备并于低温焙烧的CuO／γ-A12O3催化剂的局域结构。对于CuO负载量小于单层分散阈值的CuO／γ-A12O3(0．4mmol／100m2)，结果表明CuO物种是以层状分散的孤立原子簇存在于γ-Al2O3载体表面，其第一近邻Cu-O配位环境的结构与晶态CuO的相似，键长和配位数分别为0．195nm和4。对于CuO负载量等于单层分散阈值的CuO／γ-A12O3(0．8mmol／100m。)，已有少量的CuO纳米颗粒生成。对于CuO负载量大于单层分散阀值的CuO／γ-A12O3(1．2mmol／100m2)，其结构与多晶CuO的相近。基于CuO在γ-A12O33载体上的三种不同分散状态的结构特点，我们提出了CuO／γ-A12O3催化剂的结构模型。

简介：本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001）外延层的极图和倒易空间mapping，研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延层中片状六角相与立方相之间的取向关系为：（111）／／（0001）、＜112＞／／＜1010＞。由于（111）Ga面的外延速度远高于{111}N面，导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的（111）Ga面和(111)Ga面上形成，而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延层中立方相微孪晶的含量明显低于六角相，表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。