简介:研究了FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜,利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征,得到结果如下:插入Bi之前,在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在,插入Bi之后,FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且,在FeMn/Co界面处Fe,Mn,和Co的元素分布不相同。
简介:Theexchangecouplingattheferromagnetic/antiferromagnetic(FM/AFM)interfaceisinfluencedbyboththemagneticstructureandthecrystallinemicro-structure.Co/FeMn/Cothinfilmswith0.4nmPtspacerlayerinsertedintotheCo/FeMnandFeMn/Cointerfacerespectivelyweredepositedbymeansofmagnetronsputtering.ThetwointerfacesuponandbeneaththeFeMnlayershowdistinctbehaviorsbeforeandafterthePtspacerinserted.ThereisaremarkableshrinkoftheinterfacialuncompensatedspinswithintheFeMnbottominterfacialmonolayers,whereasarelaxationofthepinningstrengthoftheFeMninterfacialspinsalongtheout-of-planedirectionoccursatthetopinterface.XRDanalysisindicatesthePtlayerupontheFeMnlayerformsanfcc(002)texture,implyingthemagneticdiscrepancybetweenthetopandbottomFeMninterfaceshascrystallinestructuralorigins.
简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。
简介:采用多靶磁控溅射技术,制备TiCN、VCN单层膜及一系列调制比为1的不同调制周期的TiCN/VCN多层膜。利用X射线衍射仪、纳米压痕仪、高温摩擦磨损测试仪和扫描电子显微镜,研究各种薄膜的微结构、力学性能及室温和高温摩擦磨损性能。研究表明:不同调制刷期的TiCN/VCN多层膜的硬度围绕混合法则计算的硬度值上下波动,没有出现致硬现象。TiCN和VCN单层薄膜室温下的摩擦因数很低,TiCN/VCN多层膜调制周期较小时摩擦因数较高,调制周期大于10nm时摩擦因数逐渐接近TiCN和VCN单层膜。700℃下,TiCN/VCN多层膜的摩擦因数主要取决于表面生成的TiO2和v205的共同作用,与TiCN相比,TiCN/VCN多层膜的高温摩擦因数较小。