简介：为了使我所微电路封装产品能广泛满足航空、航天及其他特殊领域对内部水汽含量的要求(≤5000ppm),提出了降低金属或陶瓷结构封装的微电路封装产品内部水汽含量的控制方法和工艺要求.

简介：美国飞思卡尔半导体公司开发出了旨在取代BGA（Ballgridarray，球栅阵列）和倒装法的新型封装技术“RCP（RedistributedchipPackaging，重分布芯片封装）”。与现有的BGA相比，封装尺寸能够缩小约30％，特别适用于小型化。在包括第3代（3G）手机在内的民用产品、工业、车载和网络等设备中，能够将过去独立的多个电子元器件集成在单一封装。首先从集成较高的无线用途开始对RCP进行产品应用。

简介：随着集成电路设计技术及工艺技术的发展，元器件的工作频率越来越高，对微电子封装技术的要求也越来越严格。目前，BGA与MCM作为逐渐普及的封装形式，其基板上都有大量的过孔，在高频时必须考虑过孔寄生参数对芯片电性能的影响，特别是针对于射频电子和高速数字IC。文章以CBGA基板过孔为例，通过有限元方法初步探讨了不同参数的过孔其寄生参数RLC的变化趋势。并以其中一组寄生参数分析了对某理想放大器电路输出波形造成的过冲与畸变等影响。

简介：日前，德国英飞凌科技公司宣布，首批存储器产品将于2004年底从其苏州封装厂下线，批量生产计划将于2005年初开始。英飞凌的苏州封装工厂也被正式命名为英飞凌科技(苏州)有限公司。同时，英飞凌还在苏州成立了一个专门致力于生产工艺的IT开发中心。

简介：在集成电路的陶瓷气密封装中，往往使用X射线照相技术来检查密封区的空洞情况并由此判断密封质量的好坏。通常情况下，X射线的检测结果是可信的，但是也存在由于某种原因导致焊接空洞无法为X射线所探测的情形。此外，部分具有底部热沉的陶瓷外壳，其热沉材料本身对X射线的吸收很大，会对焊接区存在的空洞的成像进行覆盖，并造成漏判。另外，X射线对于不同层面的空洞会进行图像叠加，从而无法对空洞部位进行准确定位。文中从X射线照相的原理上对此类X射线照相中的空洞漏判等现象进行了分析和探讨。

简介：等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分，随着微电子技术的发展，等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用，讨论了它的清洗原理和优化设计方法。最后分析了等离子体清洗工艺的关键技术及解决方法。

简介：2010年2月1日，清华大学微电子所、法学院、物理系、精密仪器系、软件学院、电子系、经管学院10名同学组成的实践团队来到天水华天科技股份有限公司进行为期五天的实践活动。实践队员此行的目的是运用法学、经济学、管理学和专业技术等，从多视角、宽领域、全方位的角度对华天科技及其成长发展壮大的西部环境进行深入的调研。

简介：<正>国际半导体设备及材料协会(SEMI)和国际技术调研公司(TechSearchInternational)最新调查结果显示,半导体封装材料市场预计将从2003年的79亿美元增长到2008年的117亿美元。其中层压基材细分市场在2003年全球市场需求量为20亿美

简介：Semtech公司日前推出ESD保护器件μClamp3324P，采用2．1×1．6×0．58mm无铅封装，尺寸比同类产品小77％。

简介：用实验和有限元的分析方法研究0．05mm～0．125mm铝线的引脚跟断裂问题，结果显示由于引线键合工艺、注塑工艺以及回流焊中封装体各部分不同的热膨胀系数引起的热应力和塑性变形是产生引脚跟断裂的主要因素。模拟不同的回流焊温度曲线（220℃、240℃、260℃）对铝线的影响，发现在铝线引脚跟处应力和应变最大，而且随着温度的上升，铝线引脚跟处的塑性变形会提高20％，这对铝线的疲劳损伤是很严重的。

简介：作者勃勃赵赵名人访谈努力促进中国电子封装事业繁荣发展快速反应、真诚务实是华天发展的法宝期(页)五(1)六(1)专家论坛电子封装技术的新进展新型微电子封装技术知识经济下的管理变革与创新NewICPaekage,assemblytechniquebymeansofa“blind”Alignment“fliP一ehiP”methodandassemblingfaeilities张蜀平高尚通文」逸明郑宏宇杨克武钱枫林VladimirV.Novikov一(3)一(10)三(1)四(1)Top企业报道瑞萨;加强中国市场的整体统一管理战略瑞萨的Slp(Solution

简介：

简介：<正>VishayIntertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3mm×3.3mm,高度仅为1.07mm,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO—8解决方案更小的尺寸。PowerPAK1212—8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP—8封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO—8的为16℃/w。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为—55℃～+150℃。

简介：DSC作为一种主要的热分析方法，适用于各种固化体系，应用很普遍。文章介绍了DSC的相关基础知识，研究了利用DSC测定LED封装环氧树脂的玻璃化转变温度的测试条件，对不同的测试条件进行了比较和评定，并进行了相关测试。实践表明，在通氮气的前提下，为得到明显的DSC曲线，样品粒径应越小越好，最好为粉末状并压实；样品用量为10mg-15mg左右为宜；仪器升温速率为10K／min-15K／min左右为宜；装在铝坩埚里的待测样品要用工具压实。得到的测试条件对实际测试有指导意义．

简介：<正>达尔科技(DIODES)7月19日在成都高新综合保税区的生产基地奠基。达迩科技(成都)有限公司,是由美商达尔科技股份有限公司和成都亚光电子股份有限公司共同出资组建。达迩科技成都成立于2010年12月,在今后几年项目总投资将分成数期在成都投资,建设表面贴装元器件及封装测试和半导体封测生产基地,员工最终将

简介：为了让广大行业人士更好的了解行业的基本术语的中英丈对比与对照，促进SMT行业技术交流与标准化进程，本刊将连载IPC-T-50术语与定义手册的相关内容，供广大行业人士参考!并希望得到广大行业人士长期的支持，欢迎广大行业人士向我刊投稿或提出宝贵意见。本文由IPC术语及定义委员会（2-30）开发，由IPCTGAsia2—30CN委员会翻译，由IPCTGAsia2—30CN委员会成员／IPCCIT讲师康来辉提供，最终解释权为IPC协会。

简介：<正>由中国科学院化学研究所成功开发出的可用于超大规模集成电路(VLSI)先进封装材料光敏型BTPA-1000和标准型BTDA1000聚酰亚胺专用树脂,目前已申请7项国家发明专利。国内多家半导体企业和科研院所准备将这种新型树脂用于芯片及光电器件的制造,年产几十吨的工业中试装置正在建设,可望于今年7月投产。

简介：飞兆半导体公司推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。

简介：<正>杰尔系统(AgereSystems)近日宣布:推出五款高性能的射频超模压塑封装晶体管,将使封装成本下降高达25%。杰尔的解决方案不仅能够降低基站的整体成本,而且还可加快无线基站放大器设备的大规模部署。这些塑料封装的晶体管将用于无线基站放大器-无线基站中最昂贵的组件之一。

简介：英飞凌科技股份公司进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求，这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。1200V阻断电压模块的典型应用包括：变频器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS），1700V阻断电压模块则适用于中压变频器。