简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：

简介：ＤｙｎａｍｉｃＣｕｒｒｅｎｔＳｈａｒｉｎｇｉｎＰａｒａｌｅｌｉｎｇＰｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴ①ＷＡＮＧＢａｏｃｈｅｎｇ，ＷＵＷｅｉｙａｎｇ，ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｊｉａｎｇ（ＹａｎｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｑｉｎｈｕａｎｇｄａｏ０６６００４，ＣＨＮ）Ａｂ...

简介：ST公司近日推出基于STripFET技术的低压N通道MOSFET，适用于计算机底板和电信领域内的高频转换应用。STripFET技术采用优化的版面没计和新颖的制造工艺，可改善选通电极、栅电阻和输入电容特性。提供超低品质因数，可减少传导和转换损失。

简介：现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上，是最具发展前号的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上，具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进，并给出这一领域的现状及发展趋势。

简介：IBM一研究组（位于纽约的TJWatson研究中心）介绍了他们研制的栅长160hm的InGa4sMOSFET．也是为了评价当栅长与现代Si同类器件相当时，需要解决的关键问题。研究人员着手解决表面态问题，

简介：本文分析了线性功率MOSFET的结构及其性能，并对其在线性模式下的应用进行了介绍。

简介：<正>飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOS-FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nCMiller电荷(Qgd),比相

简介：DiodesIncorporated推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,

简介：日本东芝公司（Toshiba）日前宣布，一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET，由于采用最新的超结合技术，DTMOS的导通电阻（RDSon）仅相当于传统的MOSFET的40％左右，可降低功耗。在采用这项技术的系列产品中第一个产品是0TK15A60S，它的市场定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器。

简介：随着电力电子技术的发展,对于功率器件的要求也越来越高。为了更好的满足大功率应用场合的要求,需要多SiCMOSFET进行并联,目前并联应用的方案在电机控制、逆变器等电力电子系统中的应用前景十分广泛。但是,由于SiCMOSFET的静态因数和动态因素会直接影响到并联SiCMOSFET的均流特性,从而造成单个器件承受过大的电流应力而损坏。因此,对于SiCMOSFET均流特性的研究是非常有必要的。本文通过对SiCMOSFET电路模型进行研究,给出了一种将两个功率支路共同接入同一共用磁芯的耦合线圈进行主动均流的方法,并对主要功率器件的设计方法进行了研究。

简介：全球领先的单片机及模拟半导体供应商——MicrochipTechnologyInc．（美国微芯科技公司）宣布推出MCP1401及MCP1402（MCP140X）单输出MOSFET驱动器。MCP1401及MCP1402MOSFET驱动器分别采用反相和非反相设计，额定峰值输出电流均为0．5A，工作电压范围则宽达4．5V至18V。这些器件兼具极佳的抗锁定性能，采用微型2mm×3mmDFN和5引脚SOT-23封装。

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET（?）功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK（?）SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优

简介：介绍高压浮动MOSFET自举驱动电路的工作原理和高压驱动芯片的内部原理；讨论影响自举电容设计的各种因素，并给出自举电容的计算公式。通过实例，以测试波形来证明设计结果的准确性，表明其具有实际应用价值。

简介：<正>Cree最新研制的1200VZ-FET器件可为应用于太阳能、电源和汽车驱动的SiCMOSFET节省3-10kW的能量。Cree在其行业第一的Z-FETTM家族中扩充了新产品——1200V小电流SiCMOSFET,为功率电子设计工程师提供了一个提高大体积功率转换器效率的途径。新MOSFET器件补充了Cree现有的1200VSiCMOSFET产品,额定电流更小,使其以低廉的价格得到更广泛的应用,或用于同时优化系统的价格和性能。该新器件可用于替代3-10kW功率变换器中现用的SiIGBT。该公司表示,

简介：摘要：功率半导体器件，是电力电子技术的核心，主要用于功率处理。在新时期电力电子行业不断发展的背景下，本文以功率MOSFET为主要研究对象，着重结合电子硬件电路设计及测试验证的工作经验，从功率MOSFET的SOA角度，对功率MOSFET的SOA测试与验证进行分析，希望能够为预防功率半导体器件失效，保障功率半导体器件安全工作提供优化的思路参考。

简介：摘要驱动电路看的电子器件主要功能是将电力电子主电路与控制电路形成有效的连接，是一种具有高效性的电力电子装置，其装置能够对整个电力电子器件的性能产生非常大的影响。因此，使用高端驱动器，可以为相关器件工作提供高效性能保障，让其能够保持较为理想的工作状态。此外，还可以有效缩短开关时间，在很大程度上降低开关损耗，提高相关电子器件的安全性。

简介：为了研究高开关速度下寄生参数对SiCMOSFET开关特性的影响,以双脉冲测试电路为平台,借助于LTspice软件,探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对SiCMOSFET开通和关断时间,开通和关断损耗,电压和电流尖峰的影响。结果表明：RG对寄生振铃有抑制作用,但需要以增大开关时间和开关损耗为代价;源极电感LS具有负反馈作用,其对寄生振铃的抑制也是以增大开关时间和开关损耗为代价;漏极电感LD和栅极电感LG的增加都会使电流和电压尖峰增大,LD的作用较LG明显;漏源极电容CDS是产生电压和电流尖峰的主要因素;栅漏极电容CGD的大小决定了漏源极电压uDS的变化速率;栅源极电容CGS主要决定了器件的开关延时时间和漏极电流的变化速率,对寄生振铃影响不大。

简介：

简介：Sub-10-nm体积n-MOSFET(金属氧化物半导体地效果晶体管)直接source-to-排水管通道水流密度使用Wentzel-Krammers-Brillouin(WKB)传播通道理论被模仿了。隧道长度和障碍高度上的source-to-drain通道水流的依赖被检验。倒置层量子化，变窄的乐队差距，和导致的障碍降低完成的排水管在模型被包括了。漏水流密度在4nm隧道长度下面严重地增加，这被观察了，因此把限制放到按比例缩小MOSFET。结果与已经在文学报导的数字结果仔细匹配。