简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

简介：<正>1.烟气脱硫设备,循环流化床锅炉及炉内脱硫、脱硝技术,大型整体煤气化燃气——蒸汽联合循环技术及装备。

简介：<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

简介：摘要目前航空空心叶片热成形的工艺参数选择不够合理，使得叶片成形质量欠佳。由于板料较厚且属于加热成形范畴，使得板料的起皱缺陷和拉裂缺陷不容易发生或不明显，而叶片成形后的厚度不均匀和回弹缺陷突出。因此为了深入了解成形工艺参数对叶片成形质量的影响规律，本章以成形时主要工艺参数板料加热温度、摩擦系数、压边力和保压时间作为因子变量，以叶片成形后的最小厚度值量和最大回弹量（Z向）为目标变量，通过控制变量法来研究空心叶片背弧成形时的最佳工艺参数区间，为后续的需要最佳的工艺参数组合提供基础。

简介：摘要在小学语文教学中，教师应努力转变传统的教育观念，改变教学方法，建立新型师生关系，创设问题情境，教给学生提问的技巧等，引导学生探究，激发学生在学习中发现问题，提出问题，培养学生的思维能力和创新精神。

简介：VitronicsSoltec日前宣布首次将豫933回流焊接系统装入一家欧洲电子制造商。在最近举行的国际电子生产设备贸易博览会（Productronica）上，MR933被正式推向欧洲市场。本次售出的MR933回流系统来自VitronicsSoltec的斯堪的纳维亚地区分销商ScanditronSverigeAb。

简介：<正>由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种材料。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料,就像石墨烯一样,被证明具有超凡脱俗的导电性能,这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地,特别是人们对获得更快或更小的计算机芯片抱有无限希望的情形下。问题是,硅烯非常难制备,用单张硅烯来完成工作更是难上加难。距离物

简介：在昨天举办的2004年中国国际通信设备技术展览会上，西门子首次向公众展示了全球地区第一款具有多媒体信息功能的无绳电话西门子SL740，内置128X128像素数码摄像头，拥有4096色高分辨率彩屏，可通过固网MMS功能发送彩信，可与PC间进

简介：＊高精密度，灵活性强－0201（0．6mm×0．3mm）-SOIC，PLCC

简介：3月8日，信息产业部副部长苟仲文考察了广州“数宁市政”建设工作。在听取了广州市市政园林局的“数字市政”建设工作汇报后，苟仲文充分肯定广州市市政园林局在市政管理信息化方面取得的成绩，指出广州数字市政建设有四点经验值得学习：

简介：UltraWideBand(UWB)transmissionsareattractiveforlowpower,basebandasynchronousmultipleaccessandpeer-to-peerwirelesscommunications.MultipleInputMultipleOutput(MIMO)technologyisusefulincombatingagainstmultipathandatthesametimeimprovessystemperformancebyusingmultielementantennasatbothtransmitterandreceiver.ThisletterproposesatimehoppingM-aryUWBsystemsusingV-BLASTalgorithm,andpowercontrolisconsideredforbetterperformance.Simulationsareprovidedtocompareperformancewithdifferentantennas.

简介：基于陷阱的p-i-n的I-V特征紫外察觉者被介绍。它在不同温度被测量并且与变化分析了温度。设备的想象力因素在房间温度是2.09。最大的想象力因素在100点是2.14，它超过100衰退，并且最小的想象力因素在300点是1.26。前面的电压对温度的系数是有1个妈的前面的电流的-1.97mV/。基于两倍注射模型，在i区的深躺杂质激活精力是0.1343eV。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：AnexperimentalwayforthethermalcharacterizationofsemiconductorlasersbasedonI-Vmethodunderpulsedrivingconditionshasbeendeveloped,withwhichthethermalcharacteristicsofstraincompensated1.3μmInAsP/InGaAsPridgewaveguideMQWlaserchipshavebeeninvestigated.Theresultsshowthat,bymeasuringandanalyzingtheI-Vcharacteristicsunderappropriatepulsedrivingconditionsatdifferentheatsinktemperatures,thethermalresistanceofthelaserdiodescouldbeeasilydeduced.Thedrivingcurrentandjunctionvoltagewaveformsofthelaserchipsunderdifferentpulsedrivingconditionsarealsodiscussed.

简介：鉴于海杂波可直接影响对海监视雷达的情报质量，构建了基于分形理论的海杂波认知处理方法。首先，提取海杂波分维特征，通过聚类标记和多阈值仲裁实现海杂波区感知；然后，分析了对海监视雷达的海杂波幅值特性和相关性，目标在天线扫描间的相关性，以及分布式检测在“与”和“或”融合准则下的方法特性；最后，针对海杂波区进行精细化处理，利用雷达扫描间海杂波和目标的相关性差异，通过2部雷达扫描间积累相关的方式抑制海杂波。试验表明，该方法对中海杂波和弱海杂波的虚警抑制率均大于90％，对强海杂波的虚警抑制率大于80％。

简介：3月8日，国务院信息化工作办公室副主任杨学山带领国务院信息办、河北省信息办、石家庄市信息产业局的同志，对正定县信息化建设和电子政务运用情况进行视察调研。

简介：

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编