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Vishay大幅扩充E系列650 V N沟道功率MOSFET家族

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摘要 <正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

DOI lj11nlvrjv/1572568

作者郑冬冬

机构地区不详

出处《半导体信息》 2013年3期

关键词 VISHAY 导通电阻开关损耗输人电压通信电源系统高能脉冲

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2013年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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