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Analysis of I-V Thermal Characteristic on GaN-based p-i-n Ultraviolet Detector

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摘要基于陷阱的p-i-n的I-V特征紫外察觉者被介绍。它在不同温度被测量并且与变化分析了温度。设备的想象力因素在房间温度是2.09。最大的想象力因素在100点是2.14，它超过100衰退，并且最小的想象力因素在300点是1.26。前面的电压对温度的系数是有1个妈的前面的电流的-1.97mV/。基于两倍注射模型，在i区的深躺杂质激活精力是0.1343eV。

DOI wjv58rx6d7/500650

作者 XIE Xue-song ZHANG Xiao-ling LV Chang-zhi LI Zhi-guo FENG Shi-wei XU Li-guo

机构地区不详

出处《半导体光子学与技术：英文版》 2007年1期

关键词紫外光检测器 I-V热性能氮化镓活化能 PIN二极管

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2007年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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半导体光子学与技术：英文版

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