简介：信产部统计：电子百强利润创5年半来最低文章来源：最新采集发布时间：2006-8-308：11：13信产部公布了电子信息百强企业今年前6个月的经营情况统计，其中指出，电子信息百强虽然销售额增长，但利润率平均利润率为1．6％，同比去年又下降。而结合5年半来的情况，电子信息百强已经创下了利润率最低记录。

简介：采用物理气相传输（PVT）工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘（HPSI）6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱（SIMS）测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping（CORE-MA）和电子顺磁共振（EPR）测试进一步证实其高纯半绝缘特性。

简介：为了集成电路的低成本和高性能设计，文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺，给出了微波无线通讯系统的集成方案，从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题，同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

简介：据报道，信产部电信研究院日前在公布2004通信业关键词时指出，2006年将成为移动电话用户发展的一个拐点，在此之后，移动电话用户增长放缓。

简介：为解决空间飞行器绕飞中控制系统的仿真问题，提出了一种基于RTX实时操作系统的半实物仿真平台，通过1553B和VMIC进行各设备的信息交互，使“虚拟环境”与“真实环境”有效地结合，实现了在机械、电气、控制与软件等多学科交互作用下控制系统特性的仿真与验证。该仿真平台在部分实物短缺情况下，可采用仿真机对这些实物进行功能和电气接口的模拟，提前进行控制系统半实物仿真试验，具有良好的可扩展性，仿真验证的可信度和重复使用率，为在轨服务装备和反卫星作战武器控制系统的仿真提供了一套非常实用的半实物仿真平台，并以美国轨道快车的试验条件为输入信息，进行了实际控制系统的仿真验证。

简介：美国国家半导体（简称“国半”）宣布推出九款采用专有的VIP50BiCMOS工艺技术制造的单组装、双组装及四组装运算放大器。这九款产品不但在准确度、功耗及电压噪音等方面有大幅的改善，符合工业设备、医疗仪器及汽车电子系统的严格要求，而且体积也极为小巧，适用于各种使携式电子产品。

简介：本文分析了低压中小型锅炉水处理现状和问题,介绍了YXF-A锅炉除垢防垢剂及其应用,提出加药处理是低压中小型锅炉实现不结垢运行的有效途径.

简介：98年底行动电话普及率可望达20％，预测99年普及率应可遮35％。即99年底行动电话使用人口会达到700万人以上，七家公、民营业者落足劲争取这300万新用户。

简介：随着高频通信技术的不断发展和进步,陶瓷填充类高频印制板的需求越来越多,它们提供了出色的电气和机械稳定性,被广泛应用于商业微波和射频应用。此类陶瓷填充板虽然具有极低及稳定的介电常数和介质损耗因数,但因其材料结合力不到普通材料的一半且很脆,使其在设计连接位较小又有半孔设计时,比FR-4材料在机械加工时更易断板和产生毛刺。从工艺流程上进行优化设计及控制,对此类板件制作的关键点控制进行了研究。通过改进和优化,找出了有效解决此类半孔设计板的断板和半金属化孔毛刺问题的方法。

简介：<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：况忠，男，中共党员，1968年12月出生，1987年参加工作，1995年任中国电信重庆市石柱分公司网络部主任，2003年任副总经理。

简介：周从阳，男，2008年进入中国联通重庆北部新区分公司，成为一名维护人员，他始终把“客户满意就是对我最大的认可”这一座右铭作为追求目标。在平凡的岗位上，从事平凡的工作，但从他平凡的封面却能感受出他不平凡的一面。

简介：电影胶片的保存期限从4年到1250年不等，在外界环境原因或人为破坏等情况下，影片损坏可能造成褪色、画面剥落、霉斑、划痕、声道受损等问题。根据来自65个国家超过130家电影资料馆的数据统计，电影自诞生一百多年来的平均存活率仅为10％。大量的早期电影都面临不断遗失的尴尬境地，即使是在电影保护做得相当不错的美国，1950年代以前的电影有近一半去向不明。而中国1949年以前的电影绝大多数去向不明。

简介：本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。