简介:Diodes公司推出DMN61D8LVTQ双通道电感负载驱动器,适用于汽车电感负载开关应用,包括窗户、门锁、天线继电器、螺线管及小型直流电机。片上集成式齐纳二极管和偏置电阻器可排除对多个外部元件的需求,有效节省成本及缩减印刷电路板占位面积。电感负载开关一般需要续流二极管来抑制在开关启动时出现的电压尖峰,而DMN61D8LVTQ电感负载驱动器则利用低侧电路配置免除了对续流二极管的需求。这种配置使用反向齐纳二极管,提供内部MOSFET的有源过压漏极箝位。只要确保箝位电压设定在低于MOSFET的雪崩击穿电压,就可防止MOSFET受到破坏性瞬态电压的损害。
简介:<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong(TriQuintSemiconductor,USA)//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连(3MI)0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2(2.8×2.2mm),32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达
简介:摘要:看现代信息技术社会,发展的核心还是现代微电子科技,0.5硅导电材料仍以现代微电子科技为主。大直径单晶硅面板的生产是进一步集成集成电路的基石,如何有效控制其差异点,二级缺口仍有待克服重大技术挑战。大型集成电路的科技生产是发展中的技术,只有掌握最先进的技术才能在国际竞争中占据国际市场。但是,由于缺少一些材料,新元件设计技术的原理和0.5导体的先进新技术的开发仍在探索之中,集成电路制造技术的水平也将继续提高到新的水平。笔者结合自身多年工作经验,本次主要针对集成电路制造工艺探析,展开深入论述,所得文献与同行业人员共享,望对行业的前进起到一定的促进作用。
简介:摘要:看现代信息技术社会,发展的核心还是现代微电子科技,0.5硅导电材料仍以现代微电子科技为主。大直径单晶硅面板的生产是进一步集成集成电路的基石,如何有效控制其差异点,二级缺口仍有待克服重大技术挑战。大型集成电路的科技生产是发展中的技术,只有掌握最先进的技术才能在国际竞争中占据国际市场。但是,由于缺少一些材料,新元件设计技术的原理和0.5导体的先进新技术的开发仍在探索之中,集成电路制造技术的水平也将继续提高到新的水平。笔者结合自身多年工作经验,本次主要针对集成电路制造工艺探析,展开深入论述,所得文献与同行业人员共享,望对行业的前进起到一定的促进作用。
简介:摘要本文介绍了一种固体隔离驱动器的电路设计,可以搭配不同负载的MOS管使用,具有MOS管工作状态反馈功能,能够识别MOS管的工作状态;电路采用变压器隔离,具有较强的驱动能力,降低了MOS管的开关功耗;本电路中MOS管开关状态检测无需施加负载电源,通过电路可自行检测。