简介:建立了非线性热力学模型,定性分析了外加应力和外加温度对外延生长在正交基底上的Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)薄膜相变的影响。在外力场下,固定其中一个方向失配应变e1=0.005,模拟得到了不同组分的PZT薄膜的失配应变一外加应力的相图。研究发现,随着Ti组分的减少,出现了新相正交a1c相和四方相a1相,且新相区域也会随Ti组分的不同而变化。在外加拉应力下,c相是薄膜较易出现的相,而在外加压应力下薄膜易处于a1a2相。在不同温度场下,模拟非等轴失配应变的PZT薄膜得到不同组分的PZT薄膜的失配应变一外加温度相图。当组分x≤0.7时,相图中出现了正交a1c相,由于非等轴失配应变的存在,使得从顺电相向r相发生相变的过程中,多出了正交a1a2相;同时另一新的四方a1相也出现在沿失配应变正方向e2被拉伸的区域。随着Ti组分的增加,单斜r相的面积缩小且位置下移。之前存在的四相点也变为了三相点,而正交相a1a2相则向相图的中心位置移动。模拟结果对研究外场下铁电薄膜微器件的性能变化具有一定的指导意义。
简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。