简介：挠性印制配线板（FPC），薄而能弯曲的优越特性，电子设备用的配线材料多数采用它。伴随着电子设备的轻薄短小，高功能化与其对应的FPC市埸连续扩大增长。FPC的用途从原来的HDD、数字彩争摄像机，近年来LCD及携带电话急需的扩大，同时又开发车载用的FPC。

简介：本文以IPC／JEDECJ—STD-020和IPC／JEDECJ—STD-033为基础，介绍了潮湿敏感器件在再流焊接中失效的原因和表现以及MSD的分级、处理、包装、运输和使用中的操作要求。

简介：

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简介：1997年eupec制造出了它的第一个具备完整保护功能的8kV光直接触发晶闸管。自那时起，eupec售出了10000多只不同尺寸和不同阻断电压的光直接触发晶闸管(LTT)。LTT由于阻断电压高的显著优点和易于实现光触发而被用于高压直流输电(HVDC)。LTT集成了多种保护功能，因此不再需要电触发晶闸管(ETT)的外部保护电路通常所需的昂贵而灵敏的电子元件。LTT用在需要晶闸管串联的高电压应用中。典型的例子有HVDC装置、静态VAR补偿器(SVC)、中压驱动中的变流器和软启动器以及各种脉冲功率应用。为了展示LTT的优异性能，首先需要关注的是系统成本和可靠性。

简介：插装元件的减少以及表面贴装元件的小型化和精细化，推动了回流焊工艺的不断进步，目前已取代波峰焊成为一种主流焊接工艺一然而，并非所有的元件均适宜回流焊炉中的高温加热，在许多场合中，插装元件仍得到了较为广泛的应用，如在汽车工业中，继电器、连接器及一些在使用过程中需要承受较大机械应力的元件，仍需采用具有高结合强度的通孔型连接。常规的波峰焊可以实现插装元

简介：针对目前国内文献对连铸机电磁搅拌这一应用技术很少详细介绍的现状,本文介绍莱钢矩形坯连铸机使用进口ABB结晶器电磁搅拌设备的性能、应用效果、检查、保养、安装等维修过程,以及问题的处理和完善改进等方法,为使用类似设备提供借鉴。

简介：日前，美国第一台使用下一代互联网协议IPv6的超级计算机正式投入使用。

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简介：1引言当今市场上需要占地面积较小且又具有较高功率水平的DC／DC变换器。为了获得这样的功率密度，开关频率提高了，这使MOSFET的功率损耗增加。因而要求设计者对热阻有较好的了解，即何谓热阻?如何测量?它给设计者提供何信息?

简介：江淮汽车5月l7日在互动平台表示，公司新能源基地预计2018年6月达到预定可使用状态。公司与蔚来之间的合作将按照计划约定执行，目前双方正在集中精力做好ES8的高品质量产、交付的准备工作，以及后续第二款车型ES6的合作事宜。

简介：找出电子设计中的散热障碍和散热捷径：明导公司的FIoTHERM是电子行业垂直市场领先的CFD散热分析解决方案。FIoTHERMV9版本添加了创新的后处理技术，开启了热分析的一个新境界，帮助工程师理解为什么一个设计会过热。两个新研发的定量方法和显示技术协助FIoTHERMV9用户将他们的设计中关键的，在过去是抽象的热特征形象化：

简介：10月29日，华润上华科技有限公司（“华润上华”）与北京IC设计园在北京共同举办“华润上华与北京IC设计者共赢中国半导体应用市场研讨会”，这是华润上华举办的首届市场研讨会。到场的有百余位主要来自北京的客户、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商。

简介：1．适用范围这个标准是对应表面贴装部品组装于印制电路板上，使用标准焊膏评价SMD可焊性的试验方法之规定。

简介：反向阻断型IGBT（RB-IGBT）是一种具备承受正反向电压能力的新型器件，以它为基础，本文研究了一种4kW，可控相移全桥零电流关断（ZCS）DC/DC功率变换器。本文首先简单介绍了反向阻断型IGBT器件和这种功率变换器的理论分析，如工作阶段分析和零电流关断的条件，随后给出了在4kW变换器样机所得到的实验结果。

简介：PowerFlex755交流变频器旨在最大化您的投资,帮助提高生产率。PowerFlex755是要求安全、高电动机控制性能和灵活性的应用的理想选择,它是一种高功能、高效的解决方案。

简介：介绍了TH558型大功率金属陶瓷四极管的结构特点,同时结合实际使用情况给出了TH558在短波发射机中的应用与维护注意事项。

简介：2017年的最后一个月,汽车市场的热点不属于任何一个耳熟能详的汽车企业,而是一些全新的汽车品牌——蔚来、威马、法拉第、零跑、小鹏、拜腾……这些新品牌的背后不再是大众、通用,也不再是丰田、本田等传统汽车巨头,而是百度、京东等一大批互联网企业,在互联网已经成功颠覆众多传统产业的当下,汽车行业会成为下一个吗？

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简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。