简介：文章通过研究表明，密封元器件内部气氛中的氢气对镓、砷化物或硅器件的可靠性有长期的影响，钛氢化合物的形成可以造成GaAs器件物理变形，进而导致器件失效。试验分析表明，密封元器件内部氢气主要来自封装金属基底中吸附的气体，这些气体在热应力条件下扩散到腔体内部。试验证明在元器件封装前对封装材料进行排气处理，可以有效地将材料中的氢气释放。通过对可伐合金在不同条件排放的氢气含量的测量与分析，进一步验证了腔体内部氢气的来源，并得出随着热应力时间的延长，氢气的排放量有增长趋势的结论。

简介：手机电路中的基本元件主要包括电阻、电容、电感、晶体管等。由于手机体积小、功能强大，这些元件都采用贴片式安装(SMD)，下面就具体地看看这些基本的元器件。

简介：作为一种新型的集成封装技术，低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优良的高频和高速传输特性，小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术，其产品在封装和小型化方面具有明显优势；LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势，以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。

简介：阐述电源热分析的重要性，提出了在开关电源设计中面临的热问题，开关电源主要元器件的功耗分析在开关电源热分析中的重要意义，元件布局及冷却方式的选择具有指导意义。

简介：太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极管(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT管获取电子学固态太赫兹源的方法。

简介：介绍了"黑斑"和"气泡"造成的有机发光二极管失效的过程,对影响器件稳定性问题的诸多因素进行了分析.

简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：一、前言。自从光纤通信正式进入电信网络以来，它已经成为现代化通信网的主要支柱之一。光无源器件是光纤通信系统中不可分割的重要组成部分。从结构上看，光无源器件主要可分为全光纤型、微光学型、光波导型和组合型四大类产品；从功能上讲，目前使用的光无源器件主要完成连接(轴向、交叉)、耦合、复用(波分、分插)、开关、偏振(起偏、检偏、法拉第旋转)、衰减、滤波(光谱、梳状、增益平坦)、分路(合路)、反射、补偿(色散、相位、偏振相关损耗)、传输隔离、干涉等功能。光无源器件中传统的连接器、耦合器、波分复用器(WDM)、机械式光开关等，以及新型的光开关及其阵列、组合式光无源器件、光纤光栅类器件等将成为全光网络(AON)和下一代光纤通信系统重要而有用的无源器件。

简介：文章通过C-SAM、X-RAY、SEM等对分层样品做了系统分析，发现了分层的机理以及分层对器件的破坏机理。研究表明：分层通常发生在芯片上部与包封材料接触的面，并有向整个芯片区域延伸的趋势；应力使交接面分层的同时也使芯片的钝化层损坏，而环境中的湿气会进入器件的包封并聚集在分层区，同时水气会通过损坏的钝化层进入下面的金属互连区，使互连发生短路而损坏器件。

简介：

简介：本文概述了光子晶体光纤的三个突出的优点：单模传输特性、高非缌№故应和可控群速度色散特性。在此基础上，讨论了光子晶体光纤在多波长光纤激光器，光参量放大器和超连续谱产生中的应用，同时介绍了在各应用领域中的优势。

简介：

简介：现代武器装备是一个复杂的机电一体化信息装备，元器件的选择和使用占有及其重要地位。如何使元器件选择和使用过程中的采购、筛选、失效分析实现自动化管理，文中给出了一个军用电子元器件管理系统的开发框架。

简介：1前言表面组装元器件的出现，引起了人们对再流焊工艺中的封装裂纹和分层损伤等质量和可靠性的重新关注。本规范描述了潮湿／再流焊敏感的器件的车间寿命的标准等级，以及在处理、包装、运送过程中，避免器件与潮湿，再流焊相关失效的必要条件。相关文件：J-STD-020定义了分级程序过程，JEP113定义了标签要求。

简介：

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：针对球栅阵列封装的大功率MCM其内部具有多个热源、耦合作用强、内部发热量大、温度高的特点，建立其热学模型，在ANSYS平台下对其进行了稳态模拟分析；结果表明，增加外部散热装置可以大大降低MCM的温度，是对其进行降温最直接有效的一种方式；合理布局可以避免热集中现象。针对MCM单位体积内的功耗大，芯片热失效和热退化现象突出，对其芯片凸点和无铅焊料球进行了可靠性分析；结果表明，内应力最大处位于凸点与芯片的接触面上，凸点与基板和焊点与PCB的接触面均为高应力应变区域，是焊点的薄弱环节。

简介：

简介：高密度互连（HDI）板是为适应终端客户电子产品轻便化，集成化的使用要求而在近年蓬勃发展的一类新兴工艺。采用高密度的激光微盲孔导通层间线路是制作HDI板的关键技术之一。将HDI应用在刚挠结合板中一个明显的问题是由于刚挠结合板材料繁多，介质多变而导致激光盲孔的加工条件复杂化，可靠性难以保证。文章以刚挠结合板为研究对象，将激光盲孔设计在混合介质（PI与PP及PI与纯胶）中，分别研究对比了激光盲孔加工方法，加工工艺流程对加工激光盲孔的影响，结合扫描电镜（SEM、EDS）和微切片技术对激光盲孔微观形貌分析，并通过IST和回流焊可靠性测试，试验验证了采用常规PP激光钻孔参数，通过化学除胶即可得到满足可靠性要求的激光盲孔处于PI／PP混合介质层中刚挠结合板，为生产控制提供指导方向。

简介：采用Sn3.5Ag（221℃）Indium8.9T3-83.5%的焊膏,首先做了焊料的可焊性试验,随后设计了围框的密封焊试验,工艺样件由Cu80W镀金底板和柯伐镀金围框组成,在270℃恒定温度下,焊接时间2min。最后对焊接后的样件做了X-ray空洞率及焊接层面微观检测分析并测量了IMC厚度。研究结果表明：不仅Sn3.5Ag焊料的可焊性好,而且在镀金层上的致密性也好,在X光透射下柯伐镀金围框的空洞率低于5%,只是随时可能产生的小气孔会严重影响焊接的密封性。