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38 个结果
  • 简介:本文测定了在高压条件下种金属(钙和锌)的8-羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位x-光衍射光说。结果表明,压力其发光性质产生极大的影响。随着压力的增加,8-羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加。随后发光强度快速下降,到7GPa左右时几乎零。而8-羟基喹啉锌的发光随压力的增加而逐渐降低,到7GPa左右时常压的10%。高压下的原位x-光衍射结果表明8-羟基喹啉钙的晶体在3-4GPa开始发生非晶化相变,在7GPa时该非晶化相变完成,样品的x-光衍射完全消失。而8-羟基喹啉锌在压力的作用下(至16GPa)没有发生明显的相变。

  • 标签: 高压条件 金属8-羟喹啉络合物 发光行为 晶体结构
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在的Jahn-Teller畸变,进行了原位的高压研究。实验表明在外加压力的作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角的变化,样品中的晶格畸变有所减小。并且在晶格中存在的种不同的畸变模式Q2和Q3,在外加压力的作用下的变化规律进行了讨论。由于这种不同的畸变模式在受到外力作用时,表现形不一样,导致了位于a-b基面上的Q2畸变模式的消失,并且导致Q2畸变模式消失的压力点随掺杂浓度的增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:以超临界CO2溶胀剂所制备的PET/PS共混物的小角X-射线散射(SAXS)研究表明,PET/PS共混物的结构参数与共混物的组成及热历史密切相关。按Vonk的一维电子密度相关函数法,得到共混物的结构参数。过度层厚随PS组分含量增加而增加,结晶片层厚却随PS含量增加而降低。热处理可提高共混物的结晶性。内比表面积随PS含量增加而增加是PS使PET韧性和抗冲击性能提高的本质原因。

  • 标签: 超临界流体 相区尺寸 超临界CO2 PET PS 共混
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化,最佳生长温度450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

  • 标签: 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓
  • 简介:考察了锆助剂含量钴基催化剂的结构及费-托合成反应性能的影响。结果表明,随着锆含量的增加,甲烷的生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成的操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高的活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散与硅胶表面,而钴以一定尺寸的聚集态存在;随着锆含量的增加,锆覆盖的硅胶表面增加,裸露的硅胶表面减小,而钴的分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大,钴硅界面减小,有利于重质烃的生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从钴到锆硅载体的氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:利用XRD、TPR和EXAFS等手段考察了焙烧温度Cu/MnO2/ZrO2催化剂性能影响,结果表明,随着焙烧温度增加,铜的配位环境发生变化,铜和锰之间相互作用增强,有效地防止铜组分在还原及反应过程中聚集长大,从而使催化剂活性显著增加,当催化剂经过高温焙烧,催化剂活性由于ZrO2结晶和铜的聚集而降低。

  • 标签: Cu/MnO2/ZrO2催化剂 焙烧温度 活性测试
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,在最经济的烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高的脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂的预氧化硫脱活性的影响,并脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂具有最高的脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上导致脱硫剂活性的下降,尽管不同温度煅烧的CuO/AC表现出大的脱硫活性差异,但吸硫后生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在,其中的Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下晶粒尺寸10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa和23.0GPa,实验结果表明,在16.3GPaTiO2发生了一次结构相变,由原来的锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较,由于晶粒尺寸的效应,纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。

  • 标签: 钛矿 相变压力 晶粒尺寸
  • 简介:应用激光激发荧光谱实验经热处理后及高压条件下的氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析,实验显示,热处理效应和高压效应导致薄膜荧光效率降低,前者表现为不可恢复,后者可恢复即卸压后荧光效率的恢复,表明导致荧光光谱效率降低的微观机制不同,氮碳薄膜荧光模型提供了新的实验证据。

  • 标签: 氮碳薄膜 激光诱导 荧光效率 热退火
  • 简介:本文利用沉淀法制备了粒度分窄,无明显团聚的ZrO2纳米微粒。考察了ZrO2纳米微粒修饰丝光沸石二甲苯异构化的影响。实验结果表明,经修饰后的丝光沸石催化剂能有效地抑制副反应的发生,提高二甲苯异构化的选择性,超微粒子修饰的丝光沸石的催化活性和选择性明显优地体相材料修饰的样品。

  • 标签: ZrO2 纳米微粒 丝光沸石 二甲苯 异构化 催化剂
  • 简介:工业半焦经850℃水蒸气活化,浓硝酸处理,等体积浸渍硝酸铜溶液,干燥,煅烧制得新型低温CuO/AC脱硫剂,考查了脱硫剂制备参数-载铜量脱硫活性的影响,并不同载铜量的脱硫剂进行了TPR,EXAFS,XRD等表征,结果表明,载铜量5-15%(w)时,脱硫剂具有较高的脱硫活性;5%的载Cu量AC(活性焦)表面发生单层覆盖的最大量,低于5%,活性份CuO在AC表面高度分散,无体相CuO出现,但脱硫剂过低的活性份含量,使得脱硫活性较低;高于5%时,CuO在AC表面发生多层覆盖,且随着载铜量的继续增加,活性份矣集和内部微孔堵塞严重,致使脱硫活性出现明显下降。

  • 标签: 脱硫 CuO/AC脱硫剂 截铜量 脱硫活性
  • 简介:用微乳液法制备了表面经硬脂酸(ST)修饰的4种不同价态的钴氧化合物纳米微粒。初步摸索了合成的最佳条件,利用XRD,TEM,IR等测试手段制备的钴纳米催化剂的物相、粒子的形貌和粒度及钴氧化物纳米微粒与表面活性剂有机基团间的结合方式进行了表征,结果表明制得的纳米微粒呈球状、粒度随热处理温度升高而增大,COO-与Co(Ⅱ,Ⅲ)离子间以化学键相结合。利用流动法固定床反应器研究了钴氧化物纳米催化剂N2O的催化分解活性,实验结果表明,在350℃焙烧制得的Co2O3纳米粒子N2O的催化分解有较好的催化活性。

  • 标签: 纳米催化剂 制备 钴氧化合物 纳米微粒 N2O 催化分解
  • 简介:采用溶胶-凝胶法,制备了不同钴含量的钴钼超细粒子氧化物,将其与K2CO3干混后进行硫化。使用X-射线衍射(XRI)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)样品进行结构表征。同时测试硫化态样品的CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明,不含钴的氧化态样品,主要以颗粒度较大的MoO2物种存在;添加钴后,样品粒子的颗粒度大幅度降低,钴钼组分主要以CoMoO3物种的形式存在,当钴含量增加时,CoMoO3的晶形趋于改善。硫化态样品中钼以类似于MoS2物种的形式存在,但粒子尺寸较小。同时,体系中还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明,适量钴的添加,有利于样品的硫化。活性测试表明,钴的加入,明显促进的含量也最高。结合结构表征结果,认为钴是以协同作用的方式参与反应。

  • 标签: 超细粒子 溶胶-凝胶法 K-CO-MO催化剂 低碳醇 合成 钴含量