简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：摘要：使用MOCVD方法在Ge（100）衬底上生长GaInP外延材料，在室温下，研究了Sb掺杂对GaInP有序度的影响，PL测试结果显示：未掺入Sb时，峰值波长(WLP)为683nm，禁带宽度(Eg)为1.814eV，Sb掺杂有效量为13.8时，WLP为652nm，Eg为1.903eV，Eg展宽89meV。测试结果表明，Sb掺杂显著降低了GaInP的有序度，并引起PL光谱的蓝移和Eg的增大，但Sb掺杂没有引入新组分相。这种变化主要归因于Sb原子的引入破坏了Ga和In原子的有序排列，导致材料的晶体结构趋于无序化。

简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。

简介：<正>经济学领域所称的结构是指各种资源的分布状态以及各种资源按比例有机组合的形式。各种资源及相互间究竟如何配置和分布,才能使其更合理,更符合客观经济规律的要求,更有效益,自然成为结构经济学要

简介：摘 要： 随着LED技术的发展，人们逐渐开始追求照明效果和光品质，目前的LED白光还存在着光谱不连续、蓝光危害等问题待解决。现有的一些技术仍具有各自的缺点，本文设计一种可发多波峰的外延多量子阱结构，并研究量子阱对数和位置对芯片发光光谱的影响，获得可调控光谱形状的方法，最终搭配荧光粉而实现低蓝光、光谱连续、高显指的白光。

简介：本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001）外延层的极图和倒易空间mapping，研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延层中片状六角相与立方相之间的取向关系为：（111）／／（0001）、＜112＞／／＜1010＞。由于（111）Ga面的外延速度远高于{111}N面，导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的（111）Ga面和(111)Ga面上形成，而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延层中立方相微孪晶的含量明显低于六角相，表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。

简介：

简介：语文与生活同在，它的外延与生活外延相等。《语文课程标准》中指出：“语文课程要加强综合性，沟通与其他学科之间的联系，沟通与生活的联系，在语文课程中学到其他方面的知识和方法在其他课程、其他场合中也可以学到语文，拓宽学语文用语文的天地。”

简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为X=0．13；650℃退火会使Ge原子向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

简介：摘要

简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

简介：

简介：摘要路面结构层指的是构成路面的各铺砌层，按其所处的层位和作用，主要有面层、基层和垫层。最新规范中指出路面结构层由三部分组成面层、基层和底基层。之前的垫层，可归为功能层或路基处置层。

简介：摘 要 新陆煤矿四水平一分段南 11层里部区通过技术改造，工作面外延 36m，多回收煤炭 10万吨，创造经济价值 7仟万元。为有效防治冲击地压灾害，研究制定增加了煤体应力监测、工作面超前应力探测、煤体大孔径等措施超前防范，保障了安全开采，建立了适合新陆煤矿冲击地压灾害防治的技术措施。

简介：

简介：管道三层结构聚乙烯防腐层具有优异的综合防腐性能，是当今国际先进的管道外防腐技术之一，防腐层的厚度直接影响着它的机械性能、防腐性能、耐化学性能、良好的施工性能和经济性，因此防腐层的厚度倍受人们关注。本文扼要阐述了国外三层聚乙烯防腐层最小厚度确定的依据，国内应用情况调研，焊缝部位防腐层厚度试验检测；提出防腐层厚度在没有充分理论依据和实际经验的条件下，不能只从经济角度考虑，将防腐层厚度减薄。根据涂敷试验结果。在目前涂敷工艺条件下，焊缝处防腐层厚度与管体防腐层厚度的差异规定在70％较合适。

简介：当今社会．“责任”使用率可谓频繁。究其内涵来讲，无论理解的还是不完全理解的．都已经深入人心，然而对其外延，也许尚有丰富完善之处。言及企业管理，责任管理应该是高于一切的管理。但在实际管理中，笔者发现了一个较为普遍的现象：许多人在理解“责任”二字时，特别强调了属于自己的工作范围、

简介：随着我国社会经济的快速发展，科学技术的进步，从而推动了我国建筑工程的发展。为了满足人们对建筑物的要求，建筑行业就需要向功能多样以及形体复杂方向发展，这样就可以满足人们对功能和空间的要求，进而实现建筑空间化以及整体化。所以，混凝土转化层施工技术在建筑工程中得到了全面的发展。混凝土转换层作为建筑物结构形式的连接点，对整体建筑物结构具有直接的影响，并且能够起到连接纽带的作用。为了实现建筑物功能的多样性，本文将对混凝土转换层施工技术在建筑工程中的应用作进一步的研究。

简介：TomoreindepthunderstandthedopingeffectsofoxygenonSiGealloys,boththemicro-structureandpropertiesofO-dopedSiGe(including:bulk,(001)surface,and(110)surface)arecalculatedbyDFT+Umethodinthepresentwork.Thecalculatedresultsareasfollows.(i)The(110)surfaceisthemainexposingsurfaceofSiGe,inwhichOimpuritypreferstooccupythesurfacevacancysites.(ii)ForOinterstitialdopingonSiGe(110)surface,theexistencesofenergystatescausedbyOdopinginthebandgapnotonlyenhancetheinfraredlightabsorption,butalsoimprovethebehaviorsofphoto-generatedcarriers.(iii)ThefindingaboutdecreasedsurfaceworkfunctionofO-dopedSiGe(110)surfacecanconfirmpreviousexperimentalobservations.(iv)Inallcases,Odoingmainlyinducestheelectronicstructuresnearthebandgaptovary,butisnotdirectlyinvolvedinthesevariations.Therefore,thesefindingsinthepresentworknotonlycanprovidefurtherexplanationandanalysisforthecorrespondingunderlyingmechanismforsomeoftheexperimentalfindingsreportedintheliterature,butalsoconducetothedevelopmentofμc-SiGe-basedsolarcellsinthefuture.

简介：摘要：近年来，国内外高层建筑发展迅速，现代高层建筑向着体型复杂、功能多样的综合性发展。在同一座建筑中，要求沿房屋高度建筑功能发生显著的变化，上部楼层布置旅馆、住宅，下部楼层用作商场、餐饮和文化娱乐场所，这种不同途径的楼层需要采用不同形式的结构来实现。 　　关键词：高层建筑；结构转化层；结构