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  • 简介:用蒸发/冷凝方法制备Cu/LiF团簇基多层膜,用广延X射线吸收精细结构(EXAFS)慢正电子束进行研究。与相应材料相比,虽然未发现Cu-Cu键长有明显收缩,但其配位数减少,结构无序性增加。同时,讨论了制备条件对其微结构影响。

  • 标签: EXAFS 扩展X射线吸收精细结构 氟化锂 慢正电子束 结构无序性
  • 简介:采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅大小及在薄膜中晶态比Xc随氢稀释度提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度增加而增加。结合红外谱小角X射线散射结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H增加而增加。结合红外谱小角X射线散射结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H键合状态。认为随着晶化发生晶化程度提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒界面。

  • 标签: 氢化 小射X射线散射 稀释 制备 微晶硅薄膜 微结构
  • 简介:应用扩展X射线精细结构(EXAFS)技术研究了化学改性MnO2中锰及铋结构形态。结果表明:掺杂元素铋进入MnO2晶格,增大MnO2不同壳层配位无定形。在MnO2-电子放电还原过程中,铋氧化态保持稳定,MnO2没有发生结构重排。

  • 标签: 二氧化锰 掺杂 改性 EXAFS MNO2
  • 简介:高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-Al2O3/Si外延生长,单晶衍射法证明应用低压CVD高真空外延技术在我们实验室生长出γ-Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们结晶关系是(100)γ-Al2O3//Si,[010]γ-Al2O3//[010]Si。

  • 标签: 异质外延 氧化铝 X射线 测试 半导体
  • 简介:通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面,考察了催化剂前驱体相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构X射线衍射法对原位担载型铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明,催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散形式存在,其化学组成主要为FeOOH,且催化剂前驱体分散程度与载体煤物理化学性质有关。

  • 标签: 表征 硫化铁 原位担载 催化剂 前驱体 煤液化
  • 简介:用X射线摇摆曲线掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构影响。结果表明,所研究SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度界面失配位错随Si缓冲层生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:小角X射线散射(SAXS)是一种有效重要亚微结构分析手段。本文介绍了SAXS基本原理、实验方法和数据处理方法尤其是对于非理想两相体系解析方法及其在溶胶-凝胶法制备多孔材料研究中应用。

  • 标签: SAXS 溶胶-凝胶法 多孔材料 孔结构隙 小角X射线散射
  • 简介:本文在分析了北京同步辐射室4B9B原束线低能分支构造及弊病后,在不影响束线高能分支性能及总体机械结构基础上提出了改进方案。文中不仅详细介绍了该设计方案,同时也介绍了97年4月份专用光开始前夕调试工作及出光后束线性能测试工作,测试结果完全符合设计要求。该束线在这次同步辐射专用光实验中充分发挥了改进后优势,取得了令人满意结果。

  • 标签: 4B9B束线 低能分支 性能改进 北京同步辐射室 X光光束线
  • 简介:本论文主要利用同步辐射白光貌相术单色光貌相术、常规X射线衍衬貌相术。同步辐射Laue衍射、高分辨X射线衍射、光学显微术,对KTP系列晶体中生长缺陷、畴结构组态对物理性能影响,以及KTP晶体在外电场作用下结构变化作了观察、研究探讨。

  • 标签: KTIOPO4 同步辐射 磷酸钛氧钾 晶体结构 白光貌相术 单色光貌相术
  • 简介:研究了FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后微结构变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜,利用X射线小角反射漫散射技术进行了表征,得到结果如下:插入Bi之前,在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo成分混合存在,插入Bi之后,FeMnCo成分中掺入了Bi。而且,在FeMn/Co界面处Fe,Mn,Co元素分布不相同。

  • 标签: FeMn/Co多层膜 BI 微结构 磁控溅射法 界面 反铁磁/铁磁交换偏置系统
  • 简介:稀土硼酸盐在真空紫外(VUV)波段吸收与化合物中硼酸根离子结构有关,扩展Hueckel计算表明,硼酸根离子中B-O成键轨道与B-O反键轨道能量差按BO4^5>B2O5^4->BO3^3->B3O9^9-顺序减小,这与VUV激发光谱实验结果一致,表明VUV激发过程对应于电子从B-O成键轨道向反键轨道跃迁。

  • 标签: 结构 荧光性质 稀土硼酸盐 真空紫外 激发光谱 荧光材料