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35 个结果
  • 简介:采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si(硅)薄膜,研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出,随着沉积腔内沉积温度的不断升高,微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时,薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高,当沉积温度超过500℃时,薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下,沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

  • 标签: PECVD 沉积温度 微晶硅薄膜 晶化率 晶粒尺寸
  • 简介:用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明:随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.

  • 标签: 多晶硅 酸溶液腐蚀 表面织构化 腐蚀温度 电性能参数
  • 简介:以变形条件对圆环链临界损伤因子的影响为主要研究目标,确立物理试验与数值模拟仿真相互佐证寻求临界损伤因子的基本思路,完成不同温度和应变速率条件下多组试样的热物理模拟拉伸试验,利用采集到的参数完成试验的仿真再现,研究温度/机械载荷作用下刨链的强度和寿命特征。结果表明,最大损伤值总是出现在圆环链的肩部,损伤软化现象对应变速率较为敏感,临界损伤因子不是一个常数,而是在0.15~0.54范围内。

  • 标签: 热物理模拟 临界损伤因子 敏感率 圆环链
  • 简介:福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室叶宁研究员领导的课题组在国家自然科学基金和中科院重要方向项目的资助下,以同样是具有平面三角形结构的碳酸盐为研究对象,通过精确控制晶格中碱金属和碱土金属阳离子的相对大小,实现了CO,结构基团共面平行排列,获得了一系列非线性光学效应为3~4倍KDP的系列碳酸盐晶体

  • 标签: 碳酸盐 单晶生长 分解温度 福建物质结构研究所 国家自然科学基金 非线性光学效应
  • 简介:研究了渗流温度对Wf/Zr-BMG复合材料的显微组织和力学性能的影响,结果表明,随渗流温度升高,一方面复合材料中钨丝的显微组织发生显著变化.由最初的连续纤维状转变为无序状;另一方面,复合材料中钨丝与基体的界面处产生10μm的扩散反应层。另外,随温度升高,复合材料的压缩强度降低。

  • 标签: 钨丝 块体金属玻璃 复合材料 渗流温度
  • 简介:据媒体报道,韩国汉阳大学一个研究小组近日宣布,他们成功开发出一种三维多孔硅阴极材料,能大幅度提升锂离子充电电池(以下称锂电池)的容量和效率,手机待机时间因此有望提高8倍。

  • 标签: 阴极材料 多孔硅 待机时间 电池阴极 手机 充电电池
  • 简介:报导了CdS/ZnS纳米晶体(NCs)的制备过程和其光学}生质。通过采用连续离子层吸附和反应技术(SILAR),我们用少量的表面活性剂合成了不同壳层的四个样品,包括CdS核纳米晶以及具有1~3层ZnS壳的CdS/ZnS核/壳结构纳米晶体样品。发现具有一层ZnS壳的CdS/ZnS样品的荧光量子产率大约比未包覆壳层的CdS纳米晶体样品的强11倍。另外,随着壳层的增加(增至两到三层),荧光量子产率呈现下降的趋势。对样品进行了温度相关的光谱测量,发现CdS/ZnS和CdS一样具有特殊的光学特性。

  • 标签: 纳米晶体 CDS/ZNS 荧光 寿命
  • 简介:在上海举办的国际标准化组织纳米技术委员会第七次工作会议上,中国代表提出的“二氧化钛材料规范”、“碳酸钙材料规范”标准草案在会议中进行了讨论修订,并有望通过。另外,中国代表又提出了“碳纳米管中金属杂质的测量方法——电感耦合等离子体质谱法”、“硒化镉量子点纳米粒子的紫外——可见吸收光谱法表征”两个新提案。

  • 标签: 国际标准化组织 纳米材料 标准制订 中国 电感耦合等离子体质谱法 技术委员会
  • 简介:世界领先的工模具及精密零件加工领域的系统供应商阿奇夏米尔与EOS自2015年7月份就已经同意把重点放在模具行业。他们针对模具行业开发独家解决方案,通过增材制造冷却接近表面的模具解决方案,从而使模具冷却时间更短,获得注塑产品更快的生产周期。

  • 标签: 增材制造 模具行业 传统 打印 3D 工业
  • 简介:<正>据悉,国资委不久前提出,我国今年国企改革应着重做好以下六个方面的工作:1、加强现代企业制度建设。支持具备条件的中央企业积极推进股份制改革,有条件的逐步实现主营业务资产的整体上市。加快推进科研院所改制企业股份制改

  • 标签: 国企改革 企业股份制 整体上市 现代企业制度 业务资产 资产经营
  • 简介:日本德山公司为改善盈利状况,决定对多品硅产业进行彻底改革。由于供应过剩,预计多品硅市场仍持续低迷。德山公司将对德山制造所和德山马来西亚上厂的产量进行调整,

  • 标签: 日本德山公司 多晶硅 改革 产业 盈利状况 马来西亚
  • 简介:<正>据报导,经济学家樊纲近日指出,金融体制改革仍是目前最紧迫的任务。他指出,目前政府宏观调控已经基本实现,但有关利率调整政策的效果还要观察一段时间,所以,2005年应密切注意物价上涨的趋势,使投资增长率保持在15%~20%之间。现在,金融体制改革仍是最紧迫的任务。他认为,当前的金融体制已经成为阻碍

  • 标签: 金融体制 樊纲 投资增长率 利率调整 资本市场 证券市场
  • 简介:内资企业呼吁多年的“两税统一”终于在刚刚落下帷幕的十届全国人大五次会议上得以实现:3R16日上午,十届全国人大五次会议闭幕会表决通过了中华人民共和国企业所得税法(下称“新税法”),新税法草案的顺利通过,标志着我国将逐渐告别企业所得税“双轨”时代。为了配套2005年11月15日国家发布的《创业投资管理暂行办法》,今年2月份财政部、国家税务总局等部门下达了《关于促进创业投资企业发展的有关税收政策通知》(下称《通知》)。该《通知》明确指出对创业投资企业投资于中小高新技术企业的股权给予所得税70%的抵扣政策,该政策无疑为中小高新技术企业融资瓶颈问题的解决带来了新的希望。作为技术研发风险高、收益不确定的高新技术企业来讲,财税政策的变化是他们成长过程中重要的考虑因子。新税法即将实施,内外两税统一,这对高新技术企业发展将有怎样的影响?新税法未来的实施条例以及操作细节将有哪些重点?本期关注邀请相关专家对新税法进行分析预测。为了提高中国科技实力,引导创业投资对中小高新技术企业的青睐,相关的科技税收优惠政策看点在哪里?本期关注将探讨中国在支持高新技术产业,实施自主创新国家战略中的科技税收优惠政策。

  • 标签: 企业所得税 企业技术创新 税制改革 高新技术企业 税收优惠政策 中华人民共和国
  • 简介:据报道,国家发改委副主任彭森日前表示,今年,围绕扩内需、保增长,我国将着力在4个方面推进改革。一是转变政府职能,激发市场投资活力。要深化投资体制改革,最大限度地缩减

  • 标签: 四大方向 围绕四大 彭森我国