简介：日本千叶大学工程系中村雅一副教授和工藤一浩教授与日本化学技术战略推进机构共同组成的联合研究小组日前在2mm×2mm的区域中集成约2800万个有机晶体管元件，开发出驱动性能更高的芯片，并在3月22日～26日于东京武藏工业大学举办的日本“第53届应用物理学相关联合演讲会”上进行了发表。

简介：本文结合实际SMT混装组件制，阐述SMT混装组件失效的机理，介绍了环境应力筛选试验的情况和结果，对影响可靠性的各种因素进行了分析与总结，提出了提高可靠性的措施，指出了环境应力筛选是保证SMT混装组件产品可靠性的必要工作手段，它可排除早期故障、使产品可靠性接近设计的固有可靠性水平。

简介：VCXOs在振荡电路中加一个变容二极管，通过改变变容二极管两端的电压来改变输出频率。可以在TCXO或OCXO基础上改进电压控制，则可称为TC/VCXO或OC/VCXO。

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：台达电子集团董事长和台达环境与教育基金会自2000年起，在我国三所高校实施台达电力电子科教发展计划，每年以科教基金的形式资助电力电子与电力传动专业的教授与副教授进行电力电子专题科学研究，并以奖学金的形式奖励各学校电力电子与电力传动专业的优秀博士与硕士研究生6-10名。2001年和2005年，这项计划又先后扩大到六所和八所高校，并同时实施中达学者计划和台达访问学者计划，奖励八所高校电力电子与电力传动专业有突出成就作出重大贡献的教授，资助中青年教授、副教授到国外访问研究和开展国际学术交流活动。台达电力电子新技术研讨会每年举办一届，参会人数不断增多，会议规模不断扩大，成为国内电力电子与电力传动学术界最具活力、最有影响力的学术讨论盛会之一。本刊很荣幸，得到有关单位的同意，独家报道台达基金支持的电力电子科教发展计划和中达学者计划执行情况。并借此机会首次在国内向广大读者详细介绍台达环境与教育基金会（DEEF）、台达电力电子研发中心（DPEC）的概况，和2006第六届台达电力电子新技术研讨会的情况。

简介：中新网7月1日电环境保护部网站日前发布一批国家环境保护标准，2009年7月1日起施行。详情如下。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：在深耕中国20年之际,气候与能源领域的全球领先企业丹佛斯公司于2016年4月8日在北京举办中国区年度新闻发布会,与业内同仁、媒体代表共同分享了20年来丹佛斯与中国绿色经济同辉煌、共繁荣的发展历程,同时也介绍了公司制冷、供热、传动三大事业部在＂十三五＂阶段将继续凭借其领先科技,全心助力中国环境可持续发展的决心与举措。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：欧司朗光电半导体日前推出T038封装的优化型蓝光激光二极管，该产品是同类产品中尺寸最小的二极管。该项成就使世界向着迷你投影机的目标又迈进了一大步，将迷你投影机集成到手机、数码相机等移动设备中指日可待。

简介：北京首都国际机场3号航站楼已经安装了400余台丹佛斯VLT6000系列变频器，功率从1．1千瓦到1355千瓦。该机场将于2007年年底建成，计划在2008北京奥运会之前投入使用。丹佛斯中国总裁鲍尔森说，“我们十分高兴能为首都机场，也为2008年奥运贡献我们的一份力量。”

简介：

简介：