简介：截至目前,美国总统特朗普在选举期间所作的承诺大部分已经实现：减税、废医改、去监管、加关税.这既是为了保证11月将进行的中期选举,也是践行着“美国优先”选民们的复兴梦.此期间中美贸易争端将会持续,所以我们要关注人民币贬值的趋势,进而影响到金融领域及对经济增长的影响.

简介：本文主要介绍贴片胶的特性和使用方法,同时还介绍了点胶工艺的一般技术要求,并给出了典型温度曲线.

简介：本文叙述了手机向小型化的变迁，有多种挠性印制板(FPC)在手机的不同部位得到应用。在手机中用到FPC的有开关键的FPC板，LCD的FPC板，弯折连接的FPC板，附带照相的FPC板等。手机中FPC与刚性印制板的用量比例将是80％：20％。FPC的固定安装方法有直接接合安装，不用连接器的异向导电膜(ACF)粘合连接。

简介：基于TMS320DM642DSP处理器构建的硬件平台，采用JPEG图像压缩标准，系统在软件设计上采用了TI的RF5框架和DSP／BIOS实时内核，采用了扩展的“类驱动／微驱动”二级设备驱动程序模型，实现了一个具有实时视频监控和以太网传输功能的网络视频监控服务器。

简介：本文简单介绍了用于IEEE-802．1lb无线局域网基带信号处理的CCK(互补码键控)的工作原理，并从电路结构设计级论述CCK解调的实现方法。

简介：半导体器件支撑着庞大的信息产业,而半导体器件93%以上是硅器件,它们以硅片为基础材料。本文将叙述半导体器件和硅片在世界与国内的生产状况和需求量,并对我国硅材料企业满足市场能力进行分析。2001年世界半导体器件生产低落,

简介：博敏集团逆势扩张，领军民营企业进入高端线路板制造领域，增资梅州博敏2亿元，扩产二期工程顺利落成，高密度互连板HDI项目投产，设计高端HDI线路板产能2万平米／月，年产值达4．3亿元人民币。梅州宝得电子亦同期投产，月产10万平米内层AOI力口工及内层压合能力。

简介：通过对显介电常数的理论分析，用普通材料制成介电常数为106，介质损耗为0．0487，其它性能接近于FR-4的一种新型覆铜板。同时，本文还介绍了提高埋置电容器容量的方法。通过理论分析和实验、检测，说明这种方法对提高电容量是非常有效的。

简介：本文介绍了CEM-1覆铜板用环氧树脂的增韧改性、CEM-1覆铜板的制作及其性能.

简介：论述了助焊剂残留物的来源、形成过程及其对PCB的影响;并从可靠性方面阐述了助焊剂残留物的判定方法和有效去除方式。

简介：本文介绍了半导体器件热阻的基本概念，讨论了稳态热阻和瞬态热阻的差别，并重点论述了瞬态热阻的测试原理和方法，说明了瞬态热阻测试的技术难点，还对瞬态热阻的测试条件与合格判据的设定提出原则性建议。

简介：一、导言在数字化的时代里,我们明显感到生活的方方面面都在向信息化的方向快速前进。多媒体计算机及其网络、数字电视、数码相机、数字音响、数字化监控设备、智能化家用电器等等,把我们的衣、食、住、行与数字化紧密地联系在一起。数字化正在改变着

简介：针对在目前计算机系统对数据采集与控制的需要,利用TMS320VC33实现对数据的采集和对I/O的控制;PCI总线控制器CY7C09449完成TMS320VC33与计算机系统数据交换和通讯功能的实现。

简介：关于HDI板内层开路,目前已经有较多文献报道,但多局限于知识的普及和对问题的综述;本文从生产实践出发,详细比较和深入分析了两种表象相似的HDI板内层开路—凹点开路和凸点开路;并对"月牙状开路"产生的根源进行了探讨。最后在"盲孔开窗"和"镀孔开窗"的操作和设计方面提供了一些建议,仅供同行参考。

简介：由于当今市场的高度竞争,我们好象总是要去证明我们的制程是稳定的,并具有达到预期要求的能力。今天的客户,需要持续监控、周期性的制程评估和现有能力持续提高的客观证据。我发现,从市场的观点看这一点更为重要。如果制造商不能提供这样的证据,在客户的初

简介：2013年9月23日，国家发改委发文，正式公布暂缓淘汰含氰镀金工艺。至此，电子电镀行业、线路板行业终于松了一口气，引发全社会剧烈震荡的“丙尔金事件”算是暂时告一段落了。

简介：早期电镀线整流系统存在电流记录无法存储、查询和追溯、电流异常无法报警等缺陷,致使电镀过程非常难以监控。现通过对电流信号的采集监控原理进行研究,量身定制开发了一套独立的电镀线整流监控系统,成功地实现了电流历史记录的查询追溯以及电流异常自动报警等功能,同时该系统也可推广应用到其它需要模拟信号监控的领域。

简介：据报道，丹麦EMS和PCB厂家GPV2007年的业绩并不理想。GPV三个不同的部门在去年中表现迥异。电子部门表现优异；而机械部门因为美元疲软的原因在国防相关的项目中获利情况不佳，面临着挑战；

简介：VishayIntertechnology，Inc．日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7．5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7．5V下的典型电荷为31nC和22．8nC。

简介：文章通过对不同设计方式的线路侧蚀进行测试，根据测试结果对不同设计方式的线路使用不同的底片补偿，达到酸蚀后线宽一致的目的，同时还需要考虑工艺制程中对蚀刻因子的影响，如：曝光、显影和蚀刻。