简介：本文以安川变频器为例介绍在电梯驱动系统的应用。结合VVVF型电梯的原理，进行了配件和相应的功率选择，对系统组成进行了设计和参数设置，并对常见问题进行了分析，实践表明本系统运行效果良好，取得一定的经济效益。

简介：晶闸管投切电容器（TSc）由于控制简单，成本低廉，在实际中得到了广泛的应用。本文介绍了基于dsPIC30F6014的数据采集系统和S3C44BOX的主控系统构成的无功补偿控制器的工作原理，并提出了采用DMA的方式实现上位机和下位机的通讯，提高了CPU的利用率。结果表明，本无功补偿控制器具有良好的补偿效果。

简介：在纽伦堡举行的2006年电子功率器件、智能传送、电源质量博览会（PCIM2006）上，英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）推出了全新紧凑型IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块家族，为各种工业传动装置以及风车、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源及供暖系统传动装置，提供优化型功率转换器系统解决方案。基于创新型封装概念的全新PrimePACK^TM模块，充分发挥了英飞凌新一代IGBT4芯片的优势。

简介：本文阐述电力电子的应用领域和未来电力电子系统的预研课题：Ⅰ.工业系统集成Ⅱ.汽车的机械电子集成和Ⅲ.高频电力电子。

简介：阐述了冷却速率对无铅再流焊质量影响的研究现状，总结了冷速对无铅钎料以及SMT焊点可靠性的影响。研究现状表明快速冷却有助于减少焊接缺陷，提高焊点可靠性。

简介：电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善,来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展。

简介：介绍PLC应用中软件滤波功能、方法，以及台达PLC在自动控制中软件滤波程序应用。

简介：主要介绍了新型串行接口显示驱动芯片MAX6954的性能特点和工作原理，详细论述了用其驱动LEDN示器、矩阵键盘的典型应用与配置，结合具体实例分析了MAX6954在应用中应注意的几个问题。实际应用表明，MAX6954在嵌入式系统应用中，其硬件接口和软件编程简单，工作稳定可靠。

简介：化学沉银是近年新兴起的印制板表面处理工艺，预料沉银和浸锡会成为下一代主流的表面涂覆工艺。本文概述化学沉银工艺流程、工艺参数、制程要点，质量要求等，同时结合生产实际，对沉银工艺影响因素，常见问题及解决方法阐述了自己的实践应用体会。

简介：介绍了一种静止变换器数字化控制的实现方法，它以TMS320LF2407A数字信号控制器为核心，取代了传统的模拟控制，具有较好的动态和静态性能。

简介：介绍ANALOG公司生产的实时压缩视频编解码电路ADV611／612的原理、特点及应用。ADV611／612内含SRAM及主处理器接口，其主要理论基础是小波变换、游程编码及哈夫曼编码。

简介：以EPROM2764为例，介绍如何用存储器实现组合逻辑电路，拓展了存储器的应用领域。

简介：近几年来，我国高度重视节能工作，在国家十·一五规划明确提出“单位GDP能源消耗降低20％”要求。国家发改委能源研究所研究提出，减少能源需求三种措施，其中节能需要减少60％。

简介：给出了利用有限状态机控制A／D采样的设计方法，并通过状态机和单片机来对A/D采样速度进行了比较和具体分析。最后给出了用状态机对ADC0809进行采样控制的设计方法的软件程序代码。

简介：本文较全面地介绍了近年来发展起来的叠层型式片磁珠的基本特性、制造工艺技术、尺寸系列和性能类别。最后列举了叠层型片式磁珠在计算机、移动通信等电子产品中的应用实例。

简介：随着计算机技术、信息技术、激光技术和新材料技术的迅速发展，从20世纪后期，成像技术从模拟成像进入了数字成像新时期，数字成像的应用领域也在快速的拓宽。数字成像技术在照相上应用除了数码相机、数码冲扩机、数码摄像机外还发展为网上冲扩通过互联网受理影像打印服务。数字成像技术在医疗诊断中的应用，利用CCD图像传感器把X射线拍摄的图像数字化，

简介：电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善,来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展

简介：LM99是美国国家半导体公司（NSC）生产的智能温度传感器，该器件可同时监测远程和本地温度。可被广泛应用于智能温度控制仪、电信设备、电子计算机、复印机等办公设备和家用电子产品领域。文中介绍了LM99传感器的基本特性，引脚功能，内部结构和应用电路。

简介：介绍X1228型实时时钟电路在车速里程表中的应用，以实现系统实时记时、数据存储和实施报警等功能。给出X1228与ATMEL公司的AT89C系列单片机的接口电路和编程方法。

简介：在现代电源的应用中，需要利用高效、高可靠性的高压开关器件来提高效率。但是要么是很少可以找到耐压大于1000V的MOSFET，要么就是耐压高的MOSFET，其RDS（on）也很大，这使得MOSFET的导通压降也很大，这是我们不希望看到的。双极性MOSFET是结合了MOSFET和IGBT优点的开关元件。本文主要对制造BiMOSFET的新工艺方法以及它的非外延型结构进行了说明。