简介：简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。

简介：

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：

简介：手提式电子学的新一代产品，诸如电池电话、数码相机和个人数字助理(PDA)等的厂商在致力于减少手提式产品体积时还要求增加产品的功能，其中包括改善热性能和延长电池寿命。因此，设计者会继续研究上述产品的结构、元器件、布局和封装，以便提高DC～DC变换器的效率。然而提高效率的每个百分比都可转化为较长的电池寿命和更好的热处理，其结果将使上述产品具有较高的长期可靠性。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：日前，据台湾媒体报道，随着时序进入半导体市场传统旺季，功率半导体MOSFET市场供给缺口持续扩大，国际IDM大厂又无扩增新产能，导致MOS—FET价格已连续3季度调涨，目前第三季价格已上涨一成。而国际IDM厂下半年MOSFET产能也已被预订一空，在此情形下，ODM／OEM厂及系统厂大举转单台湾供应商，而国内随着中兴通讯重启运营，也带动大陆厂商MOSFET订单大增，在涨价缺货的现象下，仍不乏我国部分系统厂愿意加价两成采购。可以料定，下半年旺季，预计MOSFET供需紧张仍将继续。

简介：在现代电源的应用中，需要利用高效、高可靠性的高压开关器件来提高效率。但是要么是很少可以找到耐压大于1000V的MOSFET，要么就是耐压高的MOSFET，其RDS（on）也很大，这使得MOSFET的导通压降也很大，这是我们不希望看到的。双极性MOSFET是结合了MOSFET和IGBT优点的开关元件。本文主要对制造BiMOSFET的新工艺方法以及它的非外延型结构进行了说明。

简介：MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

简介：QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的，主要表现在三个方面：

简介：

简介：全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（IR）推出车用平面MOSFET系列，适用于内燃机（ICE）、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。

简介：安森美半导体推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻，整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30％。

简介：摘要：由于具备高功率密度、能实现电气隔离、容易实现软开关等优势，移相全桥(PSFB)变换器被广泛地应用在大功率开关电源中。本文阐述了移相全桥变换器在一个周期内的工作状态和实现软开关的条件，并且提出了以SiC MOSFET为硬件基础的前提下，实现移相全桥变换器的转换效率最大化的电路参数设计思路。最后，在设计的低压大电流电源模块上验证了结果。

简介：

简介：<正>Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通过减少多达70%的整流器损耗,有效提升最高达3.5%的电源效率。因此,该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。

简介：<正>宾夕法尼亚、MALVERN—2011年11月14日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新器件—SiZ300DT和SiZ910DT—以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm×3mm、6mm×3.7mm和6mm×5mmPowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

简介：摘要：热阻值是评判功率MOSFET器件热性能优劣的重要参数，因此热阻测试至关重要。通过对红外线扫描、液晶示温法、标准电学法3种热阻测试方法比较其优缺点，总结出标准电学法测试比较适合MOSFET热阻测试。在此基础上依据热阻测试系统Phase11，阐述功率MOSFET热阻测试原理，并着重通过实例对标准电学法测试热阻的影响因素测试电流Im、校准系数K、参考结温Tj以及测试夹具进行了具体分析，总结出减少热阻测试误差的方法，为热阻的精确测试以及器件测试标准的制定提供依据。

简介：英飞凌科技股份公司壮大现有的CoolMOS技术产品阵容，推出600VCoolMOSP7和600VCoolMOSC7Gold（G7）系列。这两个产品系列的击穿电压高达600V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。