安森美半导体推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET,进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻,整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30%。
电源技术应用
2005年4期