安森美半导体推出新型低压沟道MOSFET

(整期优先)网络出版时间:2005-04-14
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安森美半导体推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET,进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻,整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30%。