简介：当前印刷电路板呈现出两大趋势，即应用于较高的工作频率和装配中使用无铅焊，因此对介电材料的要求更苛刻，主要表现在：低介电常数、低介电损耗、高使用温度、低吸水性．热塑性材料——聚苯醚（PPE）的使用被证明能有效地提升热固性材料的性能，如优秀的耐水解性能、低吸水性、极高的玻璃化温度、在较宽的温度和频率范围内杰出的电性能，以及无需卤素阻燃剂就可达到良好的阻燃性能．研究显示，在热固性材料中使用热塑性材料，充分固化后的材料可取得多种的相态，分子交联网络结构呈现出复杂性．据报道，在广泛增强介电材料性能的材料研究中，多官能团聚苯醚低聚体取得了突破性进展．这种多官能团聚苯醚低聚体作为大分子单体可和环氧树脂反应并提升其多种性能．

简介：运用循环伏安法、线性电位扫描法研究木糖醇在碱性溶液（含锑）中的电化学稳定性及锑在木糖醇碱性溶液中的沉积动力学参数;采用计时电流法研究锑在不锈钢阴极上的电化学成核机理。循环伏安测试结果表明,木糖醇在碱性溶液中的稳定性较好,在-1.20V～＋0.60V（vsHg/HgO）范围内无氧化还原反应发生,在电位负于-1.70V（vs.Hg/HgO）时木糖醇在锑电极上可能发生分解。在该体系中,锑在阴极上的沉积经历了不可逆电结晶过程。根据线性电势扫描结果,锑沉积的活化能、表观传递系数、交换电流密度等动力学参数分别为46.33kJ/mol、0.64和4.40×10-6A/m2。计时电流法实验结果表明,锑在碱性木糖醇溶液中的成核机理符合扩散控制下的三维连续成核模型,外加电位对晶体生长速率和恒定电位下的饱和晶核密度有显著影响。通过分析恒电位阶跃曲线,求出锑离子在该体系中的扩散系数为1.53×10-6cm2/s。

简介：分别在120、130、140℃温度环境下,对聚碳酸酯进行热氧老化实验。应用电子材料试验机、扫描电子显微镜（SEM）、红外光谱仪（FTIR）等手段,研究了聚碳酸酯热氧老化后的力学性能变化特性和断口形貌。结果表明：聚碳酸酯经120、130、140℃温度热氧老化后,强度和伸长率均随温度的升高而降低;断裂性质也随温度的升高,由塑性断裂转变成了脆性断裂。当聚碳酸酯热氧老化一定程度,断口上会出现孔洞形貌;孔洞是聚碳酸酯发生热氧老化失效的一种断口特征。

简介：研究样品的分析功率、助熔剂、浴比、标准加入法等对脉冲加热红外吸收法测定Nb-Si粉末合金中氧含量影响。结果表明:采用Ni作为助熔剂、分析功率为5kW、标准加入法进行测定时,可消除基体干扰,氧含量测定结果精密度和准确度高,相对标准偏差(RSD)为1.27%,加入回收率为98.3%~103.5%。此方法能够准确测定Nb-Si合金中氧含量,可拓展其他类似合金的氧含量测定。

简介：采用真空高温裂解聚碳硅烷法制备β-SiC陶瓷粉末，并对热解产物进行TGA/DSC、XRD和拉曼光谱表征。通过矩形波导法测量β-SiC陶瓷粉末与石蜡复合材料在8.2-18GHz下的复介电常数来研究其介电性能。结果表明：复介电常数的实部与虚部均随着热解温度的升高而增大。高温下产生的石墨碳引起的电子松弛极化及电导损耗是复介电常数的实部与虚部增大的主要原因。

简介：

简介：本文研究环氧胶膜和在PI表面涂覆环氧胶的覆盖膜在保护FPC线路的耐弯折性进行了考察测试，结果讧明环氧纯胶膜对FPC的线路有保护作用，但其耐折性和挠曲性明显不如PI覆盖膜好，在实际使用场合可根据需要选择使用。

简介：在采用低温等离子体对芳纶纤维进行表面处理后，用扫描电镜观察处理前后的纤维表面，测试了纤维的拉伸性能，并用单纤维抽拔法对芳纶纤维／环氧树脂的界面性能做了定量的表征。实验结果表明：经低温等离子体处理后，芳纶纤维表面变得粗糙，拉伸强度随处理时间延长而下降，

简介：（上接《资源再生》2011年第5期52页）三、铜电解精炼的操作实践1．技术条件的控制

简介：利用PVA碳源包覆、HF酸刻蚀和沥青二次包覆方法制备多孔珊瑚状硅/碳复合负极材料,得到沥青含量分别为30%、40%和50%（质量分数）的3种硅/碳复合材料样品。采用XRD和SEM分别对复合材料的组成和形貌进行表征,并采用电化学测试手段对其性能进行测试。结果表明,经二次沥青包覆后,复合材料的电化学性能得到明显提高。当二次包覆的沥青含量为40%时,在100mA/g的电流密度下,该样品第二次充放电循环的放电容量达到773mA·h/g,经60次循环后,放电容量仍然保持在669mA·h/g,其容量损失率仅为0.23%/cycle。因此,调整二次包覆碳含量可明显改善复合材料的循环稳定性。

简介：利用PVA碳源包覆、HF酸刻蚀和沥青二次包覆方法制备多孔珊瑚状硅/碳复合负极材料,得到沥青含量分别为30%、40%和50%(质量分数)的3种硅/碳复合材料样品。采用XRD和SEM分别对复合材料的组成和形貌进行表征,并采用电化学测试手段对其性能进行测试。结果表明,经二次沥青包覆后,复合材料的电化学性能得到明显提高。当二次包覆的沥青含量为40%时,在100mA/g的电流密度下,该样品第二次充放电循环的放电容量达到773mA·h/g,经60次循环后,放电容量仍然保持在669mA·h/g,其容量损失率仅为0.23%/cycle。因此,调整二次包覆碳含量可明显改善复合材料的循环稳定性。

简介：目前高密度电阻率法所采用的数据处理方法主要是将地质结构体视为二度体进行二维处理，因而二维数据资料处理结果只是一种近似解释，其计算精度与反演效果达不到精确反演的要求。设计两种典型的电阻率异常地质体模型，利用有限单元法进行正演计算。为更真实地模拟实测数据并分析二维、三维反演算法对噪声的敏感度，在正演剖面中加入1%的高斯随机误差，然后再分别利用最小二乘法进行高密度电阻率法二维、三维反演。对比二维和三维高密度电阻率法的反演水平切片及垂直切片图可知，三维反演受高斯随机误差的影响更小，反演结果在模型异常位置、形态和电阻率特性反映上都比二维反演的效果更好，与实际地质模型更接近。

简介：随着电子工业的飞速发展，作为电子工业基础材料的覆铜板种类越来越多。本人根据多年的实践工作经验，针对覆铜板的常见外观质量和粘结片的质量问题做如下浅析。

简介：钛及其合金常被用作牙科和骨植入材料。钛表面的仿生涂层可以改善其成骨性能。本文作者开发一种新型的、具有成骨作用的钛合金表面纳米复合涂层,为骨髓间充质干细胞(MSCs)的粘附、增殖和成骨分化提供自然环境。用静电纺丝法制备基于聚己内脂(PCL)、纳米羟基磷灰石(nHAp)和雷尼酸锶(SrRan)的纳米复合涂层。因此,涂覆在钛合金表面的涂层有4种,分别为PCL、PCL/nHAp、PCL/SrRan和PCL/nHAp/SrRan。采用EDS、FTIR、XRD、XRF、SEM、AFM、体外细胞毒性和血液相容性测试等技术评估涂层的化学性能、形貌和生物学性能。结果表明,纳米复合涂层具有细胞相容性和血液相容性,PCL/HAp/SrRan纳米复合纤维涂层具有最高的细胞活性。MSCs在纳米涂层上的成骨培养显示干细胞向成骨分化,碱性磷酸酶活性和矿化测试结果证实了这一点。研究结果表明,所制备的复合纳米涂层具有促进新骨形成和增强骨-植入体整合的潜力。

简介：传统的漏磁检测是经磁化后测量试样表面漏磁场的垂直分量再对拾取的信号量进行分析研究的方法，然而这种仅通过单一垂直分量特性来判定缺陷的方法易出现漏检、误判。针对该方法的不足，本研究采用了一种在测量漏磁场垂直分量的同时又提取并分析水平分量特性的二维检测方法，考虑到水平分量易受干扰信号影响，运用了矢量合成法提取水平分量，通过联合利用漏磁场的垂直分量存在过零点和水平分量具有最大值特性的方法来判断缺陷，并选取多种标准与自然试样进行试验研究。试验结果表明：采用漏磁二维检测可有效实施铁磁构件的缺陷检测，提高检测可靠性，可望有很好的实际工程应用前景。

简介：为了分析含钒钛转炉渣氧压酸浸过程的热力学特点,根据高温水溶液中计算标准摩尔吉布斯自由能和活度系数的经验公式,通过计算得到了氧分压0.5MPa、对应离子的质量浓度0.1mol/kg、温度60～200℃条件下V-Ti-H2O系的电位-pH图。在pH〈2的酸性条件下,可溶性V3＋,VO2＋,VO2＋的稳定区几乎全部包含在TiO2的稳定区范围内,随着温度由60℃升高到200℃,钒、钛稳定共存区对应的氧化还原电位逐渐增大,pH逐渐降低。钒、钛稳定区的共存特点从热力学角度为转炉渣采用氧压酸浸工艺通过一步酸浸将钒浸出的同时使钛富集在渣中提供了理论依据。含钒钛转炉渣的氧压酸浸实验结果表明,在浸出温度140℃、氧分压0.5MPa、粒度0.055～0.075mm、液固比15：1、浸出时间120min、搅拌速度500r/min、初酸浓度200g/L的条件下,钒的浸出率为96.87%,钛的浸出率为8.76%。钒与钛通过氧压酸浸工艺能够得到有效分离,实验结果与热力学计算结果一致。

简介：2008年12月21日，CCLA五屑二次理事会在重庆市召开。全体理事或理事指定的代表出席了会议，纪要如下。

简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

简介：覆铜板（CopperCladLaminate，简称CCL）是电子工业的基础材料，主要用来加工制造印制电路板（PCB），广泛用于电视机、收音机、电脑、计算机、通讯设备等各种电子产品。改革开放后，经过二十多年的快速发展，我国已成为全球最大的印制电路板生产国。

简介：基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022（Ni3V）相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏聚的影响。研究表明：D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面（001）//（002）之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原子的跃迁行为具有位置选择性,每种可迁移界面都按照特定的原子跃迁模式进行迁移;原子在跃迁过程中选择最优化的路径使得界面发生迁移,原子跃迁过程中的位置选择性使得界面在迁移前、后的结构保持不变;合金元素在界面处具有不同的贫化和偏聚倾向,在所有的界面处,Ni偏聚而V贫化,Al在界面（001）//（001）·1/2[100]处贫化在其他界面处偏聚;同种合金元素在不同界面处的偏聚和贫化程度不同。