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功率肖特基二极管静电损伤分析

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摘要从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

DOI 54y6q2xmd0/911528

作者龚欣;张延伟

机构地区不详

出处《失效分析与预防》 2010年3期

关键词肖特基整流管失效分析静电放电

分类 [金属学及工艺][金属材料]

出版日期 2010年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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失效分析与预防

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