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256 个结果
  • 简介:红外吸收光谱表明样品中含片状和分散状分布杂质氮,属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究,在近完整晶体内近中心(001)和(010)结晶学平面内观察到生长带,生长方向平行于(111)和(111)。在欠完整晶体内小角度晶界发育,取向角达2.5°以上。晶体完整性与氮含量无明显相关关系。

  • 标签: 天然金刚石 生长结构 同步辐射 形貌 红外吸收光谱
  • 简介:用蒸发/冷凝方法制备Cu/LiF团簇基多层膜,用广延X射线吸收精细结构(EXAFS)和慢正电子束进行研究。与相应本材料相比,虽然未发现Cu-Cu键长有明显收缩,但其配位数减少,结构无序性增加。同时,讨论了制备条件对其微结构影响。

  • 标签: EXAFS 扩展X射线吸收精细结构 氟化锂 慢正电子束 结构无序性
  • 简介:本文通过高分辨X射线衍射及掠入射(GID)实验方法对生长在SrTiO3衬底上LLa2/3Ca1/3MnO3和YBaCu3O7单层膜及YBa2Cu3O7-x/La2/3Ca1/3MnO3异质结构双层薄膜结构进行了研究。结果发现,所有薄膜都呈c向生长。由于热膨胀系数不同而引起热应力使得LCMO膜晶格参数与靶材相差较大。La2/3Ca1/3MnO3在单层腹及双层膜中都由靶材立方结构变成了薄膜状态四方结构。YBa2Cu3O7在单层膜及双层膜中都由靶材正交结构变成了薄膜状态四方结构。La2/3Ca1/3MnO3膜与YBa2Cu3O7膜在不同样品中处于不同应力状态。

  • 标签: YBa2Cu3O7-x/La2/3Ca1/3MnO3 异质结构薄膜 微结构 X射线衍射 X射线掠入射 锰酸盐
  • 简介:采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅大小及在薄膜中晶态比Xc随氢稀释度提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H键合状态。认为随着晶化发生和晶化程度提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒界面。

  • 标签: 氢化 小射X射线散射 稀释 制备 微晶硅薄膜 微结构
  • 简介:不同退火温度处理后纳米非晶态NiB和NiP合金催化剂XAFS和XRD结果表明,在300℃温度退火后,纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni和晶态Ni3B中间态;纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定晶态Ni和Ni3P。在500℃温度退火后,NiB和NiP样品都晶化为金属Ni,但NiB样品中Ni原子周围局域结构与金属Ni箔几乎相同,而NiP样品由于Ni原于受到元素P影响,生成晶态Ni结构有较大畸变,结构与金属Ni相差很大。

  • 标签: XAFS方法 纳米非晶态合金 NiB合金 NiP合金 结构 镍硼合金
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构影响。结果表明,所研究SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:研究了FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后微结构变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜,利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征,得到结果如下:插入Bi之前,在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo成分混合存在,插入Bi之后,FeMnCo成分中掺入了Bi。而且,在FeMn/Co界面处Fe,Mn,和Co元素分布不相同。

  • 标签: FeMn/Co多层膜 BI 微结构 磁控溅射法 界面 反铁磁/铁磁交换偏置系统
  • 简介:稀土硼酸盐在真空紫外(VUV)波段吸收与化合物中硼酸根离子结构有关,扩展Hueckel计算表明,硼酸根离子中B-O成键轨道与B-O反键轨道能量差按BO4^5>B2O5^4->BO3^3->B3O9^9-顺序减小,这与VUV激发光谱实验结果一致,表明VUV激发过程对应于电子从B-O成键轨道向反键轨道跃迁。

  • 标签: 结构 荧光性质 稀土硼酸盐 真空紫外 激发光谱 荧光材料
  • 简介:采用XAFS研究不同制备条件下超细Ni-P非晶态合金中Ni原子配位环境周围局域结构。结果表明在pH小于11条件下,样品非晶化程度随pH减小而增大;当pH为14时,样品中Ni区域环境结构与金属Ni相近。不同退火温度样品XAFS结果表明,在300℃温度下退火,超细Ni-P非晶态合金基本晶化生成晶态物相。

  • 标签: XAFS 化学还原法 超细Ni-P非晶态合金 镍磷合金 催化剂 局域结构
  • 简介:低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明,Ge与Si再Ge/Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构:这种组分结构可以用一平均成份SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理粗糙度。旋转样品进行X射线散射研究表明,这种SiGe混合是各向同性,这与透射电子显微镜研究结构相一致。

  • 标签: Ge/Si超晶格 界面结构 X射线 粗糙度 纳米结构 光电特性
  • 简介:用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面,La1-xSnxMnO3薄膜表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜层状外延生长机理。

  • 标签: 钙钛矿型氧化物薄膜 电子结构 XPS BATIO3 La1-xSnxMnO3 外延生长
  • 简介:采用XAPS和XRD研究Ni-Ce-B超细非晶态合金在退火过程中结构变化。实验结果表明,在573K返火温度下,样品仍然保持非晶态结构,仅有少量晶态Ni3B生成;在673K退火温度下、Ni-Ce-B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni;在773K和更高温度退火处理后,还有一部分Ni3B并未分解,少量Ce掺杂使得样品晶化生成Ni晶格有较大畸变。说明0.3%Ce对提高Ni-Ce-B样品稳定性有显著作用。

  • 标签: Ni-Ce-B超细非晶态合金 结构 XAFS 催化活性 催化剂 镍铈硼合金