简介：在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X－射线在样品表面激发出的电子产额随X－射线能量的变化，提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明，在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单，可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立，有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

简介：水法后处理工艺过程涉及很多化学反应,反应条件和反应产物不同,需要关注的化学安全问题也不同。描述了后处理主工艺不同阶段的化学反应,分析了各阶段应关注的主要化学安全问题,为商用后处理厂的设计和事故分析提供参考。

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简介：通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究，获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm，深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构，表明该光束线适用于LIGA技术的研究。

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简介：用蒸发／冷凝方法制备Cu/LiF团簇基多层膜，用广延X射线吸收精细结构（EXAFS）和慢正电子束进行研究。与相应的本材料相比，虽然未发现Cu-Cu键长有明显收缩，但其配位数减少，结构无序性增加。同时，讨论了制备条件对其微结构的影响。

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简介：介绍了一种利用电容法检测两金属体之间间隙的方法,开发研制了间隙检测系统。该方法采用合理的屏蔽技术,克服了分布电容和外界电磁干扰对检测系统的影响,检测系统具有较高的检测精度和稳定性,测量不确定度优于0.03mm。

简介：研究了FeMn／Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜，利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征，得到结果如下：插入Bi之前，在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在，插入Bi之后，FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且，在FeMn/Co界面处Fe，Mn，和Co的元素分布不相同。

简介：在C60单晶（111）解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶膜。利用同步辐射光源，在低温下（约150K）测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰，这些子峰的最大色散超过0.5eV，并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合，只是子带间隔差异较大。

简介：用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n＝20,30)周期多层膜，利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质，样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t＝1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构，探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。

简介：根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。

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简介：《核安全法》于2018年1月1日实施,因核工业特殊管理流程以及相当多的专业术语,增加了理解该法的难度。本文通过对主要核安全监督管理部门和被监管主体在该法中的定位和责权范围进行分析,对关键监管对象的核设施、核材料与放射性废物定义、调整范围和理解差异提示解读。同时说明在公众在该法中从知情到参与权的不同意义和立法意图,并就核损害问题的简化和立法空缺做了分析,以利对《核安全法》准确的理解。

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简介：我厂是生产各类专用车、中轻型客车、卫生巾生产线机器的中型企业。如何做好标准化工作,有些问题还一直没有得到很好的解决。其中,对零部件生产中发生的某些局部偏离图样和技术要求问题,如何处理才能做到即不降低质量标准,又能妥善处置就是一个长期困惑的问题。通过学习标准化法使我们受到启发,标准化法规定了标准有强制性与推荐性两种,这是一项重大的改革。实行强制与推荐并存,有助于该管的管住、管好;该放的放开、放活。标准化法亦提出一些亟待解决的问题,其中之一就是改变一概把标准称作法,标准就是法的传统观念认识,正确区分和对待强制性标准和推荐性标准,充分发挥它们各自的功能,为发展我国的商品经济服务。商品经济条件下标准化

简介：以流向事故传感器为例,运用可靠性技术对核工厂使用的专用传感器的失效规律进行分析,对失效分布数据进行了拟合计算,得到了传感器的特征寿命,从传感器结构方面进行了可靠性分析。

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简介：为了确定核电厂反应堆控制棒驱动机构(CRDM)焊接机焊接工艺参数,应用正交试验设计法进行了Ω焊缝焊接工艺评定试验,用数理统计方法分析了对焊缝质量产生影响的各焊接参数的主次顺序,得到了最优生产条件。