简介：初见Gl100，脑中只会出现一个字——方。因为Gl100的外形处处都是以方形的概念出现，棱角分明，笔直硬朗，给人以刚强之感。面板由上至下分别是外屏，闪光灯以及摄像头，由对称带出稳重，黑色与银色的结合又令手机充满时尚感。

简介：旧金山时间2009年1月5日，美国杜比实验室（DolbyLaboratories）旗下的专利授权项目管理公司ViaLicensing公司宣布对先进音频编码（AAC）专利联合授权计划进行充分的更新，新的计划使被授权商只需获取一张许可证即可取得MPEG-2AAC、MPEG-4AAC、MPEG-4高效AAC（HEAAC）的专利使用权，并且HEAACv．2也首次涵盖在这一张许可证之下。

简介：未办理进网许可手续就销售国家特种经营的电信产品，又因付款问题闹上法庭。3月17日，北京市海淀区人民法院审理了这起涉台电信买卖合同案，并最终判决买卖双方合同无效。

简介：十年前，中国联通的诞生是一件划时代的大事。六年前，中国电信业面对了邮电分营。一边是大范围的普遍服务和长期政策性亏损，邮政路在何方?一边是第一次面对充满竞争的市场，开拓创新成为电信未来发展的惟一主题。

简介：协会自90年成立以来,根据协会理事、常务理事和会员单位的意见,希望颁发会员证(牌),由于过去没有办理CPCA商标注册手续,所以无法制作,现在,已办CPCA商标注册,因此,具备了进行这项工作的条件,协会秘书处决定在全行业中广泛征集CPCA会员证证牌设计图案。设计图案中要既有中文“中国印制电路行业协会”,又有英文“CHINAPRINTEDCIRCUITASSOCIATION”字样,要求寓意明确,构思新颖,具有特色。会

简介：导致法国3G许可证发放失败，又不得不下调的原因有好多，归纳起来有以下几点。

简介：由于沉镍金工艺存在有黑盘的缺陷,所以一些板件的表面处理兼有沉镍金和OSP,即选择性沉金;在进行OSP表面处理时,OSP面需要先进行微蚀处理,而已完成沉镍金的地方同样会经过微蚀段,微蚀及不同的微蚀量对金面是有一定的影响的;本文通过制作不同沉金时间的板件,试验不同微蚀量处理后金面的受攻击情况。

简介：由卫星运营商ShinSatellite公司的子公司ShinBroadbandInternet(SBI)公司部署的,称作HDCinema的高清电视在2007年9月来到了泰国。HDCinema是利用Shin的IPStar宽带服务的推式视频点播服务,其目标是泰国的高端用户市场。

简介：

简介：本文从组织机构代码证网上年检系统的开发背景、工作原理、安全保障及运行环境出发，通过对系统流程的演示展示了年检系统的应用。

简介：

简介：短信是电子信息的一种，垃圾短信是垃圾电子信息的一种。根据ITU、0ECD以及欧盟、澳大利亚等国家的认定，所谓垃圾电子信息是指未经接收人要求而直接通过互联网、移动网、固定网等向接收人发送的各种电子信息，其终端包括计算机、手机、固定电话等，这些信息往往毫无利用价值、甚至具有破坏性。

简介：为加强对获得进网许可证的电信设备的监督管理，保护消费者的利益，保证网络与信息安全，从今年10月1日起，我国开始施行新修订的《电信设备证后监督管理办法》。

简介：法国式选秀受挫法国UMTS（3G）许可证发放方式即所谓选秀方式，曾一度受到业界赞许，被认为避免了高度市场化竞拍方式的某些弊端。法国电信管制机构从1999年10月开始，到2000年1月31日中午12时结束，经过了一年多时间的精心准备。然而，结果却大大出乎人们的预料，4家候选企业中，即法国电信集团的移动子公司Orange、Cegetel公司控股的移动公司SFR、股权结构十分复杂的法国第三大移动公司BouyguesTelecom以及西班牙的Telefonica和法国的Suez自来水公司组成的财团ST3G，

简介：法国UMTS(3G)许可证发放方式即所谓选秀方式，曾一度受到业界赞许，被认为避免了高度市场化竞拍方式的某些弊端。法国电信管制机构从1999年10月开始，到2000年1月31日中午12时结束，经过了一年多时间的精心准备。然而，结果却大大出乎人们的预料，4家候选企业中，即法国电信集团的移动子公司Omge、Cegetel公司控股的移动公司SFR、

简介：本文给出了高压IGBT电压源逆变器的不同短路类型。综述了当前已知的几种短路类型（类型1，类型2，零电流类型2和类型3），并研究了IGBT在断开状态时的一种新的短路类型3情况。这种类型的短路发生在逆变器的空白时间内。通过对4．5千伏的IGBT实验，给出了所有的短路电流类型，其中也包括门极的di／dt反馈影响。

简介：

简介：对两种不同添加剂镀液在通孔和盲孔电镀过程深镀能力的研究,说明其各自对于通孔和盲孔电镀的优势所在.并确定对于通孔和盲孔同步电镀镀液添加剂的选择.

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：2月13日，酝酿已久的网上查身份证终于开通，且查询价格也已出炉，移动、联通用户查询费用均为1次5元。