简介:通过溶胶-凝胶法、离子束磁控溅射法和化学腐蚀法分别制备了PZT薄膜、PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3/Ni(PZT/Ni)复合薄膜材料的鼓包样品。采用X射线衍射仪(X-raydiffraction,XRD)表征了PZT/Ni复合薄膜材料的物相结构;利用自主研制的多功能新型鼓包测试平台,在力场、电场、磁场作用下分别测试分析了PZT/Ni复合薄膜材料体系的力电磁耦合性能。结果表明:随着电场强度的增加,PZT薄膜的弹性模量E先增大后减小;PZT/Ni复合薄膜在电场作用下实现了电磁调控,矫顽磁场强度Hc提高了33.4%;随着测试平台油压的增大,PZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别增加了17.1%和32.1%,PZT/Ni复合薄膜的矫顽磁场强度提高了46.1%。
简介:首次制备出粉末微晶BaCl0.5Br0.5F:Sm2+红色发光材料,并测量了其低温光谱。发现其谱线宽度与BaClF:Sm2+的相比较有了约十倍左右的非均匀增宽,而且相应于5D0,1,2→7F0,1的谱线由两个峰间距分别为15cm-1,65cm-1的谱线构成,峰间距只与基态7F0和7F1有关。W.Lenth&W.E.Morener[1]讨论了光子门光谱烧孔作为频率微区光学记录的理论和应用的可能性。对于长存的光谱烧孔,可以进行二进制的数据存储与改写。该技术为实现大容量、高速度的光学计算机的应用提供了新的前景。在这方面已经有了不少的研究工作[2~6]。为提高存储容量,需使光谱线非均匀增宽,以提供更多的光谱烧孔可能性。为此目的,首次制备出粉末微晶BaCl0.5Br0.5F:Sm2+红色发光材料,并测量了其低温光谱,并将其与BaClF:Sm2+的低温光谱进行了比较分析。