简介:随着电力电子技术的发展,对于功率器件的要求也越来越高。为了更好的满足大功率应用场合的要求,需要多SiCMOSFET进行并联,目前并联应用的方案在电机控制、逆变器等电力电子系统中的应用前景十分广泛。但是,由于SiCMOSFET的静态因数和动态因素会直接影响到并联SiCMOSFET的均流特性,从而造成单个器件承受过大的电流应力而损坏。因此,对于SiCMOSFET均流特性的研究是非常有必要的。本文通过对SiCMOSFET电路模型进行研究,给出了一种将两个功率支路共同接入同一共用磁芯的耦合线圈进行主动均流的方法,并对主要功率器件的设计方法进行了研究。
简介:2008年10月16日下午,北京金都假日饭店的多功能宴会厅座无虚席,著名话筒生产商Sennheiser的“录音史上的新时代”数字话筒技术研讨会在这里举行。来自德国的高级工程师与大家共同分享了Sennheiser多年研究的宝贵成果——基于具有革命性质的28bit数字化转换器技术的高端模块话筒系列。中央电视台、北京电视台、Digidesign等60多个单位的专业音频人士和媒体出席。