简介：可再生能源的应用对电力电子提出了艰巨的任务。当前的要求集中于提高效率和可靠性。1700V低压硅器件如今还有很大的优势。对于一些输入／输出功率MW级的变换器，需要将许多开关模块和芯片并联。最好的解决方法是将逆变器或者整个功率模块并联，但是这样就需要在电源和中压变压器之间增加额外的低压传输。另一种解决方案是将中压电源和其传输介质接到由低压硅器件功率模块串联构成的中压并网逆变器上。此外，多重化的PWM还可以减小正弦滤波器的大小、开关频率以及总损耗。

简介：1引言ABB半导体公司生产用于电解铝和其他冶金领域上的晶闸管和整流管已有着悠久的历史。通过与设备制造商之间的紧密合作，ABB半导体公司在这些技术要求严格的领域积累了丰富的经验，这对于进一步了解客户的需求、更快的解决系统里可能出现的问题很有帮助。如下图表1所示，为了满足市场的需求，ABB半导体公司生产了不同级别的电压及额定电流共5种不同的外形的整流管。

简介：<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产

简介：提出了一种基于扰动信号、且可线性化的非线性系统设计方案，该方案旨在改善带高频逆变器负载的二极管整流电路的功率因数。文中从原理及实验两方面对该方案进行了详细分析，并给出了实际的电路设计方法。

简介：介绍了TH558型大功率金属陶瓷四极管的结构特点,同时结合实际使用情况给出了TH558在短波发射机中的应用与维护注意事项。

简介：由于能源调节的持续增长，电源变得越来越复杂。人们意识到需要一个更简单的方式进行设计时，出现了计算机辅助设计工具。这篇文章就论述了此工具如何很快产生一个连续导通模式升压功率因素校正设计的优势。全部设计已经得到证实，并且会提供一些相关的公式。

简介：针对未来无线通信系统中的宽带和效率问题,设计了一种宽带高效率的J类功率放大器。为了减少谐波阻抗对效率的影响,该J类功率放大器在输出匹配网络中采用了谐波控制单元,并通过对晶体管模型的简化,综合出一种较好的匹配网络。另外,在输入匹配网络中,使用了具有宽带效应的混合集中和分布元件的π形匹配网络。设计中使用10WGaNHEMT晶体管对理论进行验证,测试结果显示,在2.2GHz～2.8GHz之间的频带内,J类功率放大器的漏极效率大于61%,增益大于10.4dB。该J类功率放大器在下一代无线通信系统中具有良好的应用前景。

简介：

简介：通过对太阳能电池输出特性和蓄电池输入特性的研究,提出了一种将太阳能电池最大功率点跟踪与蓄电池优化充电综合在一起的控制策略。本文基于一个250W太阳能路灯控制系统,提出了一种综合的控制策略,实现了太阳能阵列的最大功率点跟踪和蓄电池优化充电的合理结合。

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：F类功率放大器是一种新型高效率放大器。可用于雷达、通信和电子对抗等领域的末级功率放大器,是现代电子设备高效率、高功率和小型化功率放大器的重要途径。分析了其工作原理和设计方法,并设计了一款S波段高效F类功率放大器,输出功率大于10W,实际效率达到75%,增益大约12dB,实测结果验证了仿真设计的有效性。

简介：在众多的胆管类型中，直热三极管以屏极特性曲线簇间隔均匀、非线性失真小和内阻低而著称，十分适合音频放大使用。其圆润醇厚和细腻通透的特有音色，久听不厌，深得一些胆友，特别是资深玩家的喜爱。人们对原产于美国的此类管如2A3、300B、211和845等耳熟能详，有口皆碑；对欧系的PX4和PX25两只直热三极管则可能稍感陌生。其实，后者同样性能出众，均属经典名胆。

简介：本文是根据最近广州地区CDMA网络统计上发现的伪导频附近基站的201频点的软切换成功率偏低．然后组织了一系列实验．进行专项研究而得。最后发现此种软切换成功率偏低是朗讯设备统计上的原因，并不影响用户的真实感受。

简介：智能化数字IPS驱动器可使IGBT模块降低开关损耗，并且具有卓越的保护功能。通过对驱动器软件的设置，可简便地用于各种专用领域。

简介：燃气轮机是典型的高新技术密集型产品。作为高科技的载体它的发展集新技术、新材料、新工艺于一身的燃气轮机产业，是国家高技术水平和科技实力的重要标志之一，具有十分突出的战略地位。

简介：<正>三菱电机在安徽省设立了生产功率半导体模块的合资公司。系与其组装及测试工序制造受托方捷敏电子(上海)有限公司合办,将从2012年1月开始生产。据称,计划2015年将在华组装及测试工序的产能扩大至2011年的2倍。新公司名为"三菱电机捷敏功率半导体(合肥)有限公司"。资本金为500万

简介：通过对压缩机运行工艺的了解,中盈化肥采用利德华福研发、生产的超大功率高压变频器取代传统锅炉＋汽轮机方案,取得了巨大的节能效益,且很大程度上节约了生产建设周期和减轻了用户的维护成本。

简介：Dialog、恩智浦、安森美半导体、TI等公司正在开发GaN基功率半导体器件。面对这些传统功率器件巨头的竞争，NAVITAS如何突出重围呢？

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

简介：一个分布式电源分配方案，以最大限度地提高系统的容量密集的小细胞网络。一种新的信号称为细胞间的信号干扰噪声比（isinr）以及其修改定义显示系统容量的代数性质。随着isinr的帮助下，我们要确定系统容量的局部单调性的一种简单方法。然后在每个子信道上的迭代，我们把小细胞进化的节点B（senbs）分成不同的亚群。对于第一个子集，总速率是凸的相对于功率域和功率优化分配。另一方面，第二子集，和速率是单调递减的，senbs会放弃这个迭代信道。采用迭代策略，提高系统容量。仿真结果表明，该方案可以实现更大的系统容量比传统的。该方案可以实现一种很有前途的硬件性能和信令开销。