简介:在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N+S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。
简介:本文首先概述了高性能电力电子装置的新型数字控制器的技术动向,然后分析了目前两款具有代表性的新型数字控制器:瑞萨的SH7201和TI的TMS320F28335中用于高性能电力电子系统控制时所需的各个具体功能,如浮点运算单元、PWM、AD、DMA等。
简介:通过对基于OFDM的IEEE802.16标准SS发送的短前导OFDM符号频域序列进行分析,本文提出了一种新的频偏估计算法。较之其他算法,本算法具有频偏校正范围大,精度高的优点,即使在低信噪比的情况下,本算法也能正常工作。同时,由于本算法针对具体的WiMAX系统接收机进行设计,具有很高的实用价值。
简介:<正>TriQuintSemiconductor公司新推出三款Ka波段VSAT应用的低噪声放大器(LNA)IC,即TGA4506,TGA4507以及TGA4508。TGA4506在1.2mm×0.8mm×0.1mm封装中工作频率为20~27GHz,典型噪声系数为2.2dB,增益为21dB,输出功率为+12dBm。TGA4507在1.86mm×0.85mm×0.1mm封装中工作频率为28GHz~36GHz,典型噪声系数为2.3dB,增益为22dB,输出功率为+12dBmP—1dB。TGA4508在1.7mm×0.8mm×0.1mm封装中工作频率为30GHz~42GHz,噪声系数为2.8dB,增益21dB,输出功率为+16dBmP—1dB。