简介:现在的汽车上有很多电力驱动装置。从车窗的起落装置到电动助力转向系统,各种不同的动力都是由不同的电机和电子元器件组合来提供和实现的。用来驱动这些应用装置的变换器一般是由几个N沟道场效应管,一个驱动集成电路,一个微处理器,和通信与电源设备组成。典型的应用是驱动电动机的功率开关,只有一个H桥拓扑或是三相桥结构。作为微处理器和功率场效应管的接口,驱动电路将提供给场效应管的栅极必要的电流和电压,以保证它达到安全和预期的开关性能。针对汽车对于安全性方面的较高要求,一些保护功能也被纳入到驱动电路中,比如短路保护和过温保护。本文主要介绍一种新的方法,即用一个P沟道MOS场效应管作为高压端开关,而一个N沟道MOS场效应管作为低压端开关。先介绍其优点,再分析它的缺点。此外,本文还介绍P/N沟道组合的驱动集成电路,此电路现在市场上没有出现。
简介:我们祝贺第四届中国电力电子论坛暨2004电力半导体器件及其应用装置失效分析研讨会的召开!
简介:GaN基功率器件技术正在快速发展,其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性,并且其优值(FOM)较Si基器件有非常冠著的改善,GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器/变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗,所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起,可以缩小系统尺寸,并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势,以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC/DC和DC/DC拓扑的实测结果和仿真实例。
简介:实验评估了600V,4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌,SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用,作者考虑选用一种300W,按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果,特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果,本文表明在功率因数校正器设计中,采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。
简介:本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。