简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：第12届上海国际信息化博览会于3月17日-19日在上海新国际博览中心举行。＂信博会＂目前已发展成为亚洲最大的电子信息化博览会。本次展会由上海市经济和信息化委和浦东新区政府主办,国际半导体设备与材料协会（SEMI）及中国电子商会（CECC）、慕尼黑国际博览集团（MMI）、中国印制电路行业协会（CPCA）共同承办。

简介：Gevas科技公司（GevasTechnologoies）为其包装机器添加了罗克韦尔集成运动控制功能来满足客户对速度，精确度以及灵活性的需求。

简介：

简介：2月1日，首届国家集成电路设计产业化基地和香港科技园“孵化创新产品”竞赛颁奖仪式在京隆重举行，共有科技部、信息产业部、中国半导体行业协会、863计划超大规模集成电路设计重大专项专家组的领导和专家及来自北京、上海、深圳等7个国家集成电路设计产业化基地和香港科技园的有关主管领导、产业化基地负责人和获奖单位代表共计100多人参加了颁奖仪式。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。

简介：2008年，欧姆龙为实现年度目标，通过与客户“零距离”沟通，可以灵活应对中国客户要求、提高客户生产效率和产品质量，而精心打造了“FY08综合解决方案Compactsolution秋季全国20城市巡展”。

简介：2013年5月28日，为更好地培养中国自动化人才，全球最大的专注于工业自动化与信息化的公司——罗克韦尔自动化公司宣布向国内三十所高校捐赠其最新推出的控制产品，

简介：以＂创新、智能、绿色＂主题的2016中国国际工业博览会（以下简称工博会）于11月1日在上海国家会展中心拉开帷幕。本届工博会为期5天,设8大专业展馆,占地规模超过17万平方米,是全球知名的制造行业盛会之一。光宝电子作为近几年变频器行业异军突起的翘楚企业,行业盛会上自然不能少了他们的身影。