简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

简介：在一些文献中讨论到的基于MRAS的感应电机无速度传感器矢量控制方案存在着纯积分、不稳定以及低速下对定子电阻值较为敏感等问题。在本文中，我们设计出一种基于电流估计的新型、稳定的MPAS速度和定子电阻观测器。这些观测器不客是单独使用不是同时使用，在各种工作模式下都是稳定的，其设计程序遵循线性控制理论。仿真和实验结果证明了这些观测器的稳定性。

简介：传递模塑制造技术被成功应用到600伏范同的集成功率模块（IPM）已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进，例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管（CSTBT）实用化，这些改进为低成本，高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIPIPMs的功率已经能达到3．7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展，将其用于额定电流从10A到25A的1200VCIB模块，该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将洋细介绍DIPCIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3．7KW的完整逆变器包括三输入整流器，闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC，所有这些部件通过传递模迥技术被精密封装，可达到UL和IEC所要求的最小怛电和电气间隙。

简介：从超小型铝电解电容器CD11E的特点和性能要求出发，进行结构设计，选用主要材料，研制专用工作电解液，确定专用设备，以及分切、铆接、装配等关键工艺。根据生产实际，调整检验项目及标准，引入一系列新的检验设备和方法，实现了超小型产品的正常生产。

简介：本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。

简介：挥别了／黑色的煤碳／黑色的血液追逐着／那清洁的氢／和长空的风但是，朋友／别忘了／我们的太阳/我们的永恒

简介：今年是我们开展职业技能鉴定工作的第16个年头。16年来，在各地区、各部门的共同努力下，职业技能鉴定工作稳步推进，技能人员职业资格证书制度进一步完善。1994年至2008年底，全国累计参加鉴定的总人数已超过1亿人次，约9000多万人次取得相应的职业资格证书。今年上半年，全国参加职业技能鉴定人数达到626万人次，获取职业资格证书人数为530万人次。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。

简介：以＂创新、智能、绿色＂主题的2016中国国际工业博览会（以下简称工博会）于11月1日在上海国家会展中心拉开帷幕。本届工博会为期5天,设8大专业展馆,占地规模超过17万平方米,是全球知名的制造行业盛会之一。光宝电子作为近几年变频器行业异军突起的翘楚企业,行业盛会上自然不能少了他们的身影。