简介:摘要:BST(BaTiO3-SrTiO3)铁电陶瓷材料因其优异的介电性能和可调性,在微波器件、传感器和存储器等领域有着广泛的应用。纯BST材料的介电性能往往受限于其固有的介电常数和介电损耗,这限制了其在高性能电子器件中的应用。通过掺杂改性来优化BST材料的介电性能,成为研究的热点。掺杂改性可以通过引入不同的离子来改变BST的晶格结构和电荷分布,从而影响其介电响应。研究表明,适当的掺杂可以提高BST材料的介电常数,降低介电损耗,增强其温度稳定性和频率稳定性。深入研究掺杂改性对BST铁电陶瓷材料介电性能的影响,对于开发新型高性能电子器件具有重要的科学意义和应用价值。
简介:摘要:BST(BaTiO3-SrTiO3)铁电陶瓷材料因其优异的介电性能和可调性,在微波器件、传感器和存储器等领域有着广泛的应用。纯BST材料的介电性能往往受限于其固有的介电常数和介电损耗,这限制了其在高性能电子器件中的应用。通过掺杂改性来优化BST材料的介电性能,成为研究的热点。掺杂改性可以通过引入不同的离子来改变BST的晶格结构和电荷分布,从而影响其介电响应。研究表明,适当的掺杂可以提高BST材料的介电常数,降低介电损耗,增强其温度稳定性和频率稳定性。深入研究掺杂改性对BST铁电陶瓷材料介电性能的影响,对于开发新型高性能电子器件具有重要的科学意义和应用价值。