简介：

简介：Geepilayersofdifferentthicknessesaregrownbymolecular-beamepitaxywithSbasasurfactantonSI(100)substrates,X-raydiffractionillustratesthattheseGethinfilmsarepartiallystrained.andthestrainsdecreasegraduallywithincreasingepilayerthickness,RamanspectrarevealadownwardshiftoftheGe-Gemodepeakastheepilayerthicknessincreases.Intheregionsofhighstrain,therelationshipbetweentheRamanshiftofthismodeandthestraininthepartiallyrelaxedsamplesisconsiderablydifferentfromthelinearrelationshipreportedbefore,whichismainlyattributedtothespatialconfinementeffectofphononsinananocrystal.

简介：TheballmillingofFe-24MnandFe-24Mn-6Simixedpowdershasbeenperformedbythehighenergyballmillingtechnique.ByemployingX-raydiffractionandMoessbauermeasurements.Theccmpositionevolutionduringthemillingprocesshasbeeninvestigated.TheresultsindicatetheformationofparamagneticFe-MnorFe-Mn-Sialloyswithametastablefccphaseasfinalproducts.whichimplythattheFeandMnproceedaco-diffusionmeenanismthroughthesurfaceoffragmentedpowders.Thethermalstabilityandcompositionevolutionoftheas-milledalloyswerediscussedcomparingwiththebulkalloy,.

简介：

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简介：Amorphoussilicon(a-Si),nanocrystallinesilicon(nc-Si)andhydrogenatednanocrys-tallinesilicon(nc-Si:H)filmswerefabricatedbyusingchemicalvapordeposition(CVD)system.Thea-Siandnc-Sithinfilmswereirradiatedwith94MeVXe-ionsatfluencesof1.0×1011ions/cm-2,1.0×1012ions/cm-2and1.0×1013ions/cm-2atroomtemperature(RT).Thenc-Si:Hfilmswereirradiatedwith9MeVXe-ionsat1.0×1012Xe/cm-2,1.0×1013Xe/cm-2and1.0×1014Xe/cm-2atRT.Forcomparison,mono-crystallinesilicon(c-Si)sampleswerealsoirradiatedatRTwith94MeVXe-ions.AllsampleswereanalyzedbyusinganUV/VIS/NIRspectrometerandanX-raypowderdiffractometer.Variationsoftheopticalband-gap(Eg)andgrainsize(D)versustheirradiationfluencewereinvestigatedsystematically.Theobtainedresultsshowedthattheopticalband-gapsandgrainsizeofthethinfilmschangeddramaticallywhereasnoobservablechangewasfoundinc-SisamplesafterXe-ionirradiation.Possiblemechanismunderlyingthemodificationofsiliconthinfilmswasbrieflydiscussed.

简介：TherearetwotpyesofphasetransformationsinFe-MnandFe-Mn-Sialloyswhenthetemperatureisdecreased,γ(fcc)→ε(hcp)martensitictransformation(MT)andparamagnetic-antiferromagnetictransition(AMT)ofγphase.Fromthethermodynamicpointofview,theformerusuallyappearsinaslightlyhighertemperaturerangethanthelatterbecauseifisgenerallyacceptedthatthemagnetictansitionhasasuppressingeffectonthethermallyinducedεmartensite(Satoetal.,1984.,BogachevandZvigintzeva,1976;Murakamietal.,1987:Yangetal.,1992)GartsteinandRobinkin(1979)eventhoughtthattheγ-εtransformationshouldbeterminatedbelowNeeltemperature(TN)duetothedecreaseoffreeenergyarisingfromtheAMTofγphase.However,someexperimentalresultshaeindicatedtheformationofεphasebelowT(LiandWayman,1994:Fujimori.1966).Inthepresentwert.thebehavorofγ-εtransformationbelowTNwasfurtherinvestigatedbyclectricalresistancemeasurements.

简介：MoleculardynamicssimulationsareperformedtoinvestigateCF3continuouslybom-bardingtheamorphoussiliconsurfacewithenergiesof10eV,50eV,100eVand150eVatnormalincidenceandroomtemperature.TheimprovedTersoff-Brennerpotentialswereused.Thesimu-lationresultsshowthatthesteady-stateetchingratesareabout0.019,0.085and0.1701for50eV,100eVand150eV,respectively.Withincreasingincidentenergy,atransitionfromC-richsurfacetoF-richsurfaceisobserved.IntheregionmodifiedbyCF3,SiFandCFspeciesaredominant.

简介：

简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

简介：利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。

简介：低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

简介：1前言对任何一个生产技术领域,从科研开发、成品生产到市场销售,都离不开测试系统,测试系统得出的测试数据,可为科研开发提供指导性信息、诊断生产过程是否处于受控状态、确认产品质量是否符合技术规范的要求;虽然,测量的数据并不直接参与市场竞争,但它在市场竞争中起着不可忽视的作用。测试系统的重要性不仅体现在生产技术领域,在医学、法律学和环境科学等领域亦是非常重要,只是体现的方式有差异而以。测试系统的重要性在核工业领域体现尤为突出,由于核工业的特殊性,它的核产品价值昂贵,核设施的安全涉及公众的安全和国际政治影响,核材料的管制更是如此。如在燃料组件生产过程中,如果由于测试数据不准确导致不合格的产品进入反应堆,将发生烧结或破损事故,直接影响核电站的安全,甚至造成巨大的经济损失和国际影响;在核材料管制中,若测试数据不准确,不能及时觉查特殊核材料不平衡,甚至丢失或被盗,将酿成恶劣的政治影响。由此可见,测试数据可靠性的重要意义。各国对核工业测试系统都非常重视。如美国,有一套有关核工业测试系统的质量控制和相关标准。

简介：成像板是一种新型的集成式面探测器系统，近年来被广泛用于X光，特别是高强的同步辐射X光实验。为改善BSRF的探测条件和水平，最近BSRF购进了一套日本FujiFilm公司生产的BAS－2500成象板探测系统，提出供给广大用户使用。本文介绍了IP的工作原理、特性及应用，并对BSRF的IP探测系统作一简要介绍。

简介：北京同步辐射装置（Beijingsynchrotronradiationfacility,BSRF)3B1B生物光谱实验站已经投入运行，该站的主要工作是测量样品的圆二色性。本文介绍该站为获取稳定的圆二色信号所做的工作。

简介：本文重点介绍研制的同步辐射X射线入射强度实时在线监测系统。

简介：探测系统的死时间,就是能够将两个事件(或脉冲)区分开的最小时间间隔。系统的死时间主要由探测器及与其配套的电子测量系统决定。本文介绍了利用双源法和振荡仪法分别测定FP-180标准装置的系统死时间,比较了这两种方法的优缺点并简单介绍了其他测定死时间的方法。

简介：高可靠性、长寿命是专用机械设备重要效能特征,设计阶段进行专用机械设备系统可靠性研究尤为重要。本项工作通过专用机械设备系统可靠性建模、指标分配、故障模式影响及危害性分析、关键件可靠性和耐久性设计、系统可靠性预计五个步骤的研究,提出了主要部件的可靠性保证措施和具体改进建议,改进后的可靠性预计结果表明,专用机械设备满足了设计任务要求。通过本项研究,摸索出了"突破少数关键、归整多数零碎"的专用机械设备系统可靠性设计思路,为专用机械设备可靠性研究奠定了方法和技术基础。