简介：TB432002042855微腔对有机发光的影响的研究=Microcavityeffectsonorganicemissionlight[刊,中]/初国强,高劲松,朱万彬(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光学仪器.—2001,23(5/6).—202-205

简介：薄膜物理与制备技术研究对于惯性约束聚变(ICF)实验具有重要意义，2003年开展的研究工作主要包括几个方面的内容：低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)法微球CH涂层及掺杂(溴等)技术研究；脉冲激光沉积(PLD)法Fe／Al合金薄膜研制；磁控溅射法Au／Gd，Ti／A1，Ti／Cr支撑薄膜研制；碳氢氮(CxNyH1-x-y)薄膜制备技术研究。相应主要结果如下：(1)利用低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)装置深入考察了以反式-2-丁烯如下：

简介：TB432003053760双通偏振干涉滤光片的研究=Researchofdouble-passpolarizationinterferencefilters[刊,中]/贺银波(浙江大学光电系,现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),熊静懿…//光学学报-2003,23(1).-89-94研究了等厚度双能偏振干涉滤光片,在此基础上提出了新型双通偏振干涉滤光片,并分析了单通、双通以及新型双通偏振干涉滤光片的光谱特性。结果表明,新型双通偏振干涉滤光片不仅具有更好的光谱特性,而且能

简介：O484.599042623用喇曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸=Estimationofcrystal—sizeofnano—GebyRamanscatteringspectra[刊,中]/王印月,郑树凯,杨映虎,郭永平（兰州大学物理系.甘肃,兰州（730000））,奇莉,甘润今（北京机械工业学院基础部.北京（100085））//光学学报.—1998,18（9）.—1265—1268用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc—Ge/SiO2。测量了不同温度退火后该复合膜的喇曼散射光谱,其结果与晶体Ge的喇曼谱相比,纳米Ge的喇曼峰位红移峰形变宽;用喇曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得

简介：O484.52003053772厚度具有线性变化的吸收平板或膜层的非相干透射率和反射率=Incoherenttransmissivityandreflectivityofanabsorbingplaneplateorlayerwithlinearvariationsinthickness[刊,中]/钟迪生(辽宁大学物理系.辽宁,沈阳(110036))//应用光学.-2002,23(1).-40-43计算了垂直入射下厚度具有线性变化的吸收平板样品的非相干透射率和反射率(正面和反面),给出了直接确定无基底样品以及透明基底上薄膜能量(强度)系数的精确表达式。图3参3(郑锦玉)

简介：O484.52000031969TiO2薄膜厚度及其光学常数的测量=DeterminationofthicknessandopticalconstantsofTiO2film[刊,中]/王德育,袁春伟（东南大学分子与生物分子电子学实验室.江苏,南京（210096））//东南大学学报.—1999,29（5）.—105-108描述了非线性回归模型在TiO2薄膜的光学常数及其厚度测量中的应用。利用薄膜在可见光范围内的光谱

简介：O484.52001053428光谱法求解极化聚合物薄膜的光电系数=Calcldationofelectro-coefficientsofpoledpolymerfilmsusingspectralmethod[刊,中]/孟凡青,马常宝,张光辉,吕孟凯,袁多荣,房昌水,许东(山东大学晶体材料国家重点实验室.山东,济南(250100)),任诠(山东大学光电子信息与工程系。山东,济南(250100))//半导体光电.—2000,21(6).—402-404,409

简介：证明了夹住椭圆薄膜的整个边界不是使薄膜的椭圆性成立的必要条件.特别地,给出了两类边界条件.分别叫做部分自由边界条件和共轭边界条件,它们使得椭圆薄膜具有椭圆性但其边界没有被完全夹住.这些结果纠正了Slicaru在下面的文章中所犯的错误:Ontheellipticityofthemiddlesurfaceofashell,C.R.Acad.Sci.Paris,t.322.Serie,p.97-100.1996.最后,通过例子说明,当椭圆薄膜的边界不限制任何条件时,使应变能有限的位移向量空间可非常大.

简介：O484.5//TN304.0552002042890常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较=Comparisonofdielectricpropertiesbetweenconventionalandnanocrystallinediamondfilms[刊,中]/奚正蕾,莘海维,张志明,凌行,沈荷生,戴永兵,万永中,陆鸣(上海交通大学微电子技术研究所.上海(200030))∥微细加工技术.—2001,(4).—50-55

简介：O484.52003021238硅(001)衬底上生长的ZnO薄膜的AFM研究=AFMstudyofZnOthinfilmsonSi(001)substrates[刊,中]/章建隽(浙江大学信息科学与电子工程系.浙江,杭州(310028)),杨爱龄//电子显微学报.—2002,21(1).—39-42对采用电子束反应蒸镀方法低温下在硅(001)衬底上外延生长的ZnO薄膜的表面构像进行了原子力显微镜(AFM)观察,分析研究了不同的衬底温度对薄膜表面形貌及结构特性的影响。在250℃衬底温度下获得的ZnO

简介：O484.496042588金属-有机聚合物复合薄膜研究进展=Progressontheresearehofmetal-organicpolymercompositefilms[刊,中]/张兵临,张兰,马会中,H.Phllips,毕兆琪,李运钧(郑州大学物理系.河南,郑州(450052))∥功能材料.—1995,26(6).—497—501金属-有机聚合物复合薄膜是一种新型薄膜材料。由于它有着特殊的光电物理特性,无论是从基础研究的观点来看,还是就其潜在的应用价值而言,均

简介：TB4397063841太阳光控膜的实验研究=Experimentalresearchonthefilmsofcontrollingsolarradiation[刊,中]/焦小浇,胡文旭,陈玲(陕西省物理研究所.陕西,西安(710077)),孙玉晴(陕西师范大学实验中心.陕西,西安(710062))∥太阳能学报.—1996,17(4).—330—335

简介：O48496042583快速热氮化SiO_xNg薄介质膜的电荷特性与光学性质=ChargecharacteristicsandopticalpropertiesofrapidthermalnitrideSiO_xNythindielectricfilm[刊,中]/陈蒲生,岑洁儒(华南理工大学应用物理系.广东,广州(510641)),董长江(中科院表面物理实验室.北京(100080))∥半导体学报.—

简介：O484.497063836聚酰亚胺LB膜上液晶表面锚定的研究=Studyofsurfaceanthoringofliquidcrystalsonpoly-imideLBfilms[刊,中]/孙睿鹏,郭建新,王宗凯,马凯,黄锡珉(中科院长春物理所.吉林,长春(130021))∥物理学报.—1996,45(12).—2041—2046通过测试光延迟研究了聚酰亚胺LB膜的光学各向异性,分析了在LB膜成膜过程中成膜分子的流动取

简介：TB4398063893标准滤光片的应用=Applicationsofstandardfilters[刊,中]/张玉明,方胜昔(南京军区医学计量测试研究站.江苏,南京(210003))//中国空间科学技术.—1997,(5).—39—40

简介：O484.498063883激光诱导菌紫质LB膜快速光电动力学研究=Studyofhighspeedphotoelectricdynamicsoflaser—inducedbacteriorhodopsinLBfilm[刊,中]/姚保利,徐大轮,侯洵(中科院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室.陕西,西安(710068)),李宝芳,江

简介：O484.598063898测量金属膜粗糙度的表面等离子激元光谱方法=Surfaceplasmonspectroscopyformeasuringthesurfaceroughnessofmetallicfilms[刊,中]/邓里文,王恭明(复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室.上海(200433))//光学学报.—1998,18

简介：O484.596042597不同表压下芪盐单层LB膜二次谐波的研究=Studyofsecond-harmonicgeneration(SHG)forstilbaziumsaltLangmuir-Blodgettmonolayerfilmatthedifferentsurfacepressure[刊,中]/李加,侯延冰,张光寅,张春平,田建国(南开大学

简介：利用脉冲激光沉积装置在钼筒上沉积镧氧膜,通过俄歇能谱仪确定其表面成分并进行定量分析,结合离子刻蚀对薄膜进行剖面分析,实验结果表明,除去薄膜表面少许C,O吸附外,本制备方法污染小,定量分析证明薄膜为富镧的镧氧薄膜。

简介：用一维多群辐射输运流体力学RDMG程序数值模拟研究了非平衡辐射烧蚀CH薄膜的特性和规律。在数值模拟时，分别选取由神光Ⅱ实验给出的黑腔辐射场不同时刻的谱分布和等效辐射温度TR随时间变化的曲线，由TR(t)=(4R(t)／ac)^1/4，其中，c是光速，a=4σ/c=7．57×10^-15erg／(cm^3·K^4)，σ是斯特藩-波尔兹曼常数。)给出每时刻相应的辐射流FR，然后以5个时刻的谱为基准进行插值，给出相应时刻的非平衡烧蚀驱动能源的辐射流谱。