简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。
简介:本文对基于Android平台机顶盒升级模块Recovery的研究,介绍了一种通过按键修复损坏的Recovery系统的方法,包括按键软硬件设计,通过Uboot对按键监听响应设计和修复Recovery系统的设计,从而提高了机顶盒升级的稳定性、安全性和可靠性。
简介:MOTOROLAP2K系列手机出现“无信号”故障,大部分是由于U900(电源IC)无法输出V—BOOST(5.6V)电压造成,只要将U900换新即可解决,但有些机型的U900是封胶的,取下很容易造成主板断线而报废,而且U900往往只是无法输出V—BOOST(5.6V)电压,其它功能均正常,弃之可惜,为此有人就加上一个能产生5V电压的电路(如以前768改768C用的升压电路),确实能很好地解决该问题,可就是该升压电路有些难找。笔者经多次实验,找到了一种更简洁的方法,只要增加一个二极管、一个电容(电容可在原机上拆得)和一根漆包线即可解决问题。