简介：本文采用GaN功率管芯,以S参数为基础设计了一个X波段宽带功率放大器,并与实测数据进行了对比。结果表明该电路在6~12GHz范围内,小信号增益全频段大于10dB,饱和输出功率高于37dBm,带内增益波动小于1dB。

简介：在通信接收机中，当接收的信号强度变化很大时，要求接收机前端的增益随接收信号强度在很宽的范围内自动变化，以输出稳定信号，因此高性能接收机对可变增益放大器提出了更高的要求。设计基于BiCMOS工艺，采用差分输入共射级结构，对宽动态可变增益放大器进行了研究与设计，通过MOS开关改变集电极和发射极电阻以及延迟控制技术，达到宽动态增益的效果。仿真结果表明，三级放大器的增益动态范围为0～65dB，频率范围为20～90MHz。

简介：大功率短波广播发射机安全保护系统是发射机在正常运行的情况下,保证工作人员人身安全、重要元器件安全、实现设备正常运行的重要保护机制,本文结合播出一线维护工作实践,介绍了TSW2500型500kW短波广播发射机安全保护系统的基本组成、主要特点和维护经验。

简介：制造商们对于降低能源成本和能源消耗的迫切渴望直接带动大功率变频器市场的增长。亚洲是大功率变频器最大的市场，占整体变频器市场42％的年收入，在预测期内仍将是大功率变频器市场增长的主要驱动力量。亚洲电力和自动化解决方案的市场需求在2012年及之后一段时期内将继续增大，市场对于新建电力设施，升级现有电力设施，提升工业效率和生产力的需求在其中起到了积极的作用。

简介：针对微波接收系统中，采用多级放大器级联导致接收信号幅频特性不理想的问题，首先提出了一种用于补偿递减增益的微带功率均衡器设计方法。该方法运用理论分析设置初值；运用计算机优化确定均衡器结构；通过微带蛇形线结构实现小型化。然后，在充分考虑工程需求及工艺实现难度的条件下，运用此方法设计了一种L波段小型化功率均衡器。测试结果表明，该均衡器满足系统对均衡量、驻波及小型化的要求。对微波接收系统中均衡器的设计有一定指导意义。

简介：多少年以来，SCR、MOSFET和1GBT占据了大功率器件市场的主要份额，近年来，新型功率器件不断涌现，如IGGT、IEGT、IPEM和PEBB、SiC器件、GaN器件芋。文中主要介绍这些功率器件的结构、工作原理．特性参数和应用实例，

简介：MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

简介：全包封功率器件相对于半包封功率器件更容易达到安规要求,其需求出现了逐渐增加的趋势,但是全包封器件的分层问题一直困扰着业界。通过分层现状的调查,分析了分层存在的界面和产生原因,通过优化试验找到了解决分层最有效的措施是中大芯片表面缓冲层,从而使全包封功率器件的可靠性达到更高要求。

简介：超宽带（超宽带）信道由于其带宽大、环境复杂，具有频率选择性，直接影响到超宽带通信的数据速率和可靠性。本文研究了放大转发（AF）来降低正交频分复用（OFDM中继方案的可靠性问题）-超宽带通信。继电器可以用来获得的容量增益和分集增益就像多输入多输出（MIMO）系统。第一次调查的重点是中继节点的选择标准和容量增益的组合比例。容量增益取决于直接链路和中继链路之间的频率响应的相关性，除了中继链路的信噪比（信噪比）。增加了相似性的频率响应增加容量增益。通过取容量方程的导数，得到了容量增益的最佳中继和组合比。比值二次微分方程的求解，发现各位势中继节点的最佳比例。二次调查的重点是中继节点的选择标准和组合比例的多样性增益。高分集增益对应于组合信号的不那么深衰落的子信道。减少了计算将问题分为两个步骤：第一步，根据标准，取决于期望值和方差的选择中继节点（F）——信噪比要求第二步解决优化问题的最优组合比例的功能。数值模拟表明，我们的方案是有效的，在追求容量增益和分集增益。

简介：随着电力电子技术的发展，在电力电子设备中，广泛应用IGBT模块。IGBT模块是先进的第三代功率模块，集成功率IGBT和智能化IGBT代表了IGBT的发展方向。本文简介IGBT模块，功率集成IGBT（PIM）和智能化IGBT（IPM）的结构和应用实例。

简介：针对有源电力滤波器控制策略介绍了瞬时无功功率理论,并分析了基于瞬时无功功率理论的两种检测方法法p-q及ip-iq法的基本检测原理。采用理论分析和仿真实验相结合的方法得出低通滤波器的类型、阶次和截止频率。在MATLAB中进行仿真分析比较后选择ipiq法作为本文的谐波检测方法。对基于SVPWM调制的电压前馈电流解耦控制方法进行研究,并进行了相关理论仿真研究及结果分析。仿真结果表明,该方法具有较好的电流控制效果.

简介：22015年5月18日，VishayIntertcchnology，lnc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。VishayDaleResistorsElectro-FilmsBRCP可处理高功率，工作电压高达100V，有120milx35mil（外形A）和240mil×35mil（外形B）两种小外形尺寸，能够在不牺牲性能的情况下，实现更小的产品设计。

简介：一个分布式电源分配方案，以最大限度地提高系统的容量密集的小细胞网络。一种新的信号称为细胞间的信号干扰噪声比（isinr）以及其修改定义显示系统容量的代数性质。随着isinr的帮助下，我们要确定系统容量的局部单调性的一种简单方法。然后在每个子信道上的迭代，我们把小细胞进化的节点B（senbs）分成不同的亚群。对于第一个子集，总速率是凸的相对于功率域和功率优化分配。另一方面，第二子集，和速率是单调递减的，senbs会放弃这个迭代信道。采用迭代策略，提高系统容量。仿真结果表明，该方案可以实现更大的系统容量比传统的。该方案可以实现一种很有前途的硬件性能和信令开销。

简介：<正>恩智浦半导体近日宣布已和北京建广资产管理有限公司(简称"建广资产")达成协议,同意向其出售恩智浦射频功率事业部。根据协议内容,建广资产将为购买此事业部支付18亿美元。该交易将在获得相关监管部门批准后生效。恩智浦射频功率事业部是高性能射频功率放大器市场的领导者之一,目前主要专注于蜂窝基站市场,同时在未来的工业照明、下一代烹饪和汽车电子点火系统领域的应用中也很有发展潜力。恩智浦首席执行官RichardClemmer表示:"成立一家专注于射频功率放大器市场的新公司对建广资产来说是一项突破性的交易,对我们的客户也意义重

简介：<正>Vishay发布新的通过AEC-Q200认证的25W厚膜功率电阻—DT025,它采用小尺寸、表面贴装TO-252型(DPAK)封装。对于汽车、工业和国防应用,VishaySferniceDT025比前一代方案节省更多空间,在PCB上的耗散功率则达到3W以上,阻值范围较宽。DT025是无感器件,阻值从0.016Ω到700kΩ,其外形尺寸为8.2mm×7.3mm的面积和2.8mm的厚度,在DPAK封装内能承受比竞争元器件多10倍

简介：<正>东芝公司最新发布了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。与传统的不间断电源相比,G2020系列新产品产生热量、噪声和干扰较小,降温成本较低,也更加节省能源。东芝公司功率器件部门的产品经理JesusPenalver表示,功率电力电子的未来在于碳化硅功率开关转换技术,该技术具有高于传统技术33%的结温,更高的转换开关速度,和极低的转换损耗。G2020系列产品相较前一代产品G9000footprint尺寸缩小17%,比市场同类竞争产品的尺寸最高缩小57%。