简介:采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.
简介:Karhunen—Loeve变换(KLT)是建立在统计特性基础上的一种变换,其相关性好,且为均方误差(MSE)意义下的最佳变换。KLT不仅在数据压缩技术中占有重要地位,在语音增强领域中也有重要应用。本文探讨了Karhunen—Loeve变换的Matlab实现,并介绍了它在语音增强中的应用。