简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs．，缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如，2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23％，北美25％，亚洲14％，日本38％。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行，每年依序更换，

简介：本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上，结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势，最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。

简介：ISOPLUSi4^TM系列功率半导体器件具有非常适合应用于开关模式功率电源（SMPS）的特征：器件的集成度高，在应用于高开关频率时工作性能可进行优化，一个集成的隔离有助于降低装配工作的难度，如果要求应用于高压场合可通过加大爬电距离和穿透深度来完美地实现。本文对这类元件使用的技术进行深入的介绍，并针对SMPS上的应用来论述它们的特性。

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

简介：大功率半导体器件的各种应朋中．热设计的重点是对散热器热阻的计算。尤其是单个元件自身功率损耗数百瓦到数千瓦的功率半导体器件。本文通过大功率半导体器件用散热器的散热过程分析，将热阻的计算分为散热器内固体传热过程和散热器与空气间的传热过程两部分，最后给出散热器风冷热阻计算公式和计算实例。同时为了满足实际应用，我们根据此公式开发成功了一种专用风冷散热器热阻计算和曲线绘制软件。与散热器厂家给出的散热器风冷热阻曲线对比，其结果基本吻合。

简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。

简介：造成电子元件损坏的原因现在，电子元器件故障除静电直接放电外，附近的其他放电所产生的强电磁场也可能轻易地损坏今天的高速系统，且系统速度越快，越易受到影响。有实验表明：1～3ns的放电就可以产生强电磁场。在1ns的时间内，放电相应带宽就高达300多兆赫，因此，现代高速系统一般都采用VHF／UHF屏蔽及接地技术。

简介：功率半导体器件和电力电子世界上最早的半导体器件是整流器和晶体管,当时并没有功率半导体或微电子半导体之分。1958年,我国开始了第一个晶闸管研究课题(当初称为PNPN器件)。在大致相似的时间里,集成电路的研究也逐步开始。从此半导体器件向两个方向发展。前者

简介：<正>功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%。MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿

简介：随着人们绿色节能意识的提高，电动车、变频家电、智慧电网等市场正在快速兴起，同时也推动了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率半导体等产品的应用变得愈来愈普及。这是导致去年下半年以来市场上出现MOS—FET等功率半导体供货紧张的重要原因之一。相关消息显示，当前市场上的MOSFET缺货潮已经延续超过半年之久，随之出现的则是涨价与交期延长。不过这种情况的出现，对于我国功率半导体行业来说又是一个难得的发展机遇，不应轻易放过。

简介：4.4宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。其中SiC器件技术最

简介：<正>据报道,英飞凌科技股份公司连续7年高居全球功率半导体和模块市场榜首。据IMSResearch最新报告,全球功率半导体市场规模缩减21.5%,由2008年的140亿美元降至2009年的110亿美元。尽管市场规模缩减,但英飞凌的市场份额却提高至10.7%。英飞凌在EMEA地区(欧洲、中东和非洲)继续保持着领先地位,市场份额上升1.3个百分点,达到24.3%;在北美和南美地区,其市场份额

简介：<正>日前,从郭庄空港新区传出消息:由南京客商投资的江苏时瑞电子科技项目签约郭庄,总投1.4亿元。这标志着国内最大半导体敏感元器件项目牵手空港新区,也必将为该地区的产业升级发展注入新的活力。

简介：与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括：栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。

简介：应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发，给出了宽禁带半导体（SiC／GaN等）微波功率器件环境适应性验证过程中的验证分级（解决及时发现问题与验证周期、费用矛盾）、验证载体与工程应用统一性设计（器件研制源于工程、用于工程）、验证数据的可对比性设计（验证环节可追溯）方法及相关分析（指导工程设计），为宽禁带半导体微波功率器件的工程化研制提供数据支撑。文中的试验数据和设计思想可作为其他相关工程设计参考。

简介：本文初步讨论了同分析电力半导体运行失效机理有关的九个基本问题。指出在深刻了解所用器件特点的基础上,充分掌握具体的实际运行工况,做好热分析和热计算,选好器件参数和相应冷却系统,保证在运行的任何工况下,器件都不会超出相应的安全工作区,才能真正用好这些器件。

简介：

简介：在全球电子行业稳步发展的大环境下,不少业内人士对于半导体分立器件的市场前景更为看好,据美国半导体产业协会公布的数据显示,半导体分立器件行业的销售排名已占电子市场总份额的前三。而在未来两年间,半导体市场成长率将保持了7.9%左右,半导体分立器件应用范围的不断拓展,将为行业发