简介：2016年11月18日,华芯通半导体宣布正式启用位于北京望京地区的北京研发中心,其全资子公司的北京华芯通半导体技术有限公司也落户该地区并举行了盛大的开业典礼.贵州省贵安新区领导、美国高通公司及华芯通半导体企业高层及相关负责人员共同出席了开业典礼并为北京研发中心揭牌。

简介：由中国半导体行业协会集成电路设计分会主办、华大半导体有限公司承办的＂中国制造2025,中国‘芯’机遇＂主题论坛于9月11日在上海召开。会议就工业控制、智能终端、机器人领域的应用趋势及和对芯片的需求进行了深入交流与探讨,为顶层设计的政府机构、专业的国际组织机构,以及厂商、用户等上下游产业链打造良好的交流平台,为推动中国＂芯＂,落实＂中国制造2025＂贡献了一份力量。

简介：随着激光二极管在干涉测量、固体激光、光存储等领域应用的愈加广泛,其LD输出波与温度之间的准确控制难度逐渐突显,人们尝试通过半导体激光器温度控制系统对此问题进行改善,在此背景下,本文针对半导体激光器温度智能控制系统设计问题展开研究。

简介：富士康将与安谋（ARM）合作，在深圳创设芯片设计中心，将事业版图拓展至半导体领域。

简介：艾迈斯半导体宣布向意法半导体出售其NFC和RFID读写器IP、技术和产品线，成交金额为7930万美元现金（约7150万欧元）以及取决于未来获利能力及经营成果的高达3700万美元的款项。通过此次交易，艾迈斯半导体在成为全球传感器解决方案领先供应商的道路上更进一步。

简介：6月18日凌晨,位于西安市南郊一处的变电站系因设备故障而引起爆炸起火,逾8万用户一度停电.由于该变电站供应附近多处半导体厂的供电,使得设置于该区的三星、美光、力成等半导体厂也都受到不同程度的影响.其中,在附近的三星半导体工厂成为“最受伤”的公司.据悉,它是目前三星电子唯一个对3DNADAFlash进行量产的工厂.此次事故可能通过影响3D闪存芯片的产量,进而对下游固态硬盘市场产生影响.据三星电子估算,由于生产受到影响,损失规模可能达到数百亿韩元.

简介：华虹半导体有限公司（华虹半导体）近日宣布，其超高压0．5μm700VBCD系列工艺平台，继2015年成功量产后，迄今累计出货超过6亿颗芯片，成功领跑LED照明市场。

简介：美国半导体行业协会（SIA）的发布资料显示，2016年7月全球半导体销售额为278．08亿美元（3个月的移动平均值，下同），环比增长2．6％。

简介：微电子是IT行业发展的典型代表,微电子器件的应用,需要做好静电防护的工作,以此来提高微电子器件的性能,避免影响其在应用中的表现。因此,本文重点探讨微电子器件的静电防护措施。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：对35micro-x封装的微波晶体管防自激老化电路的各部分功能进行了详细介绍,讨论了如何判定管子是否处于稳定工作状态的方法。通过在测试间里搭建老化电路,模拟实际老炼状态,使用红外热像仪测试壳温的方法,比较了不同散热条件下的壳温测试数据,得出了管子的壳温以及管帽和管底之间的温度差。试验证明：在管底使用铝块和导热硅胶相结合散热的方法,能解决35micro-x封装形式的低结温晶体管老化过程中的结温控制问题。

简介：重点介绍了一种直线加速器系统注入能量的高功率微波源四极管发射机。从加速器注入功率要求入手，介绍四极管发射机研制方法。主要内容包括发射机系统构成，指标计算、分配以及具体实现。重点阐述了发射机的固态放大器设计、阳极电源设计、控栅和帘栅电源设计。并对发射机的馈线设计和热设计提出了工程解决方案。针对四极管发射机特点作出了细致分析。项目完成后，经过测试、联调，各项指标满足设计要求，为以后四极管高功率微波源的研制与开发提供了很好的设计参考。

简介：探讨了一种P波段大功率空气带状线低通滤波器的设计过程,提出了一种滤波器高阻抗线的布局方式,该设计可大大节省体积,且结构简单,加工、装配方便,可广泛用于微波中继通讯、卫星通讯、雷达技术、电子对抗及微波测量仪等设备中。

简介：对于任何人来说，数字电源系统管理（DPSM）在通信和计算机行业内的持续采用，在很大程度上继续由位于其系统架构核心的20nm以下ASIC和／或FPGA所需之高电流水平驱动都是不足为奇的。