简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:<正>2013年6月17日,增长速度最快的半导体公司SiTime公司(SiTimeCorporation)宣布,推出TempFlatTMMEMS。在TempFlat出现之前,所有MEMS振荡器都采用补偿电路来达到所需频率稳定度。而SiTime的TempFlatMEMS是一个革命性的突破,通过消除温度补偿需求,大幅度的促进了性能的提高,尺寸的缩小,功耗和成本的降低。YoleDeveloppement的策划经理和首席分析师LaurentRobin表示:"到2018年,预计MEMS振荡器市场将以60%的复合年增长率增长,达到4.67亿