简介:在80%Al-20%CuO(质量分数)体系中,通过原位反应法制备Al2O3p-Al复合材料。采用不同方法研究CuO颗粒粒度对复合材料合成温度和显微组织的影响。结果表明,CuO颗粒粒度对Al-CuO体系的完全反应温度有显著影响:含有粒度小于6μmCuO颗粒样品的完全反应温度比含有粒度小于100μmCuO颗粒样品的完全反应温度低200°C。当反应温度低于某一临界值时,原位Al2O3颗粒和Al基体之间不能完全结合;当温度高于某一临界值时,原位Al2O3颗粒的形貌从棒状转变成近球形。这两个临界温度受CuO颗粒粒度的影响:含有粒度小于6μmCuO颗粒样品的临界温度比含有小于100μmCuO颗粒样品的临界温度低100℃。
简介:本文以有限差分法为基础建立了连续切削和铣削的数值模型,该数值模型用于预报切削过程中刀具和切屑的温度场.连续或稳态切削(如正交切削),可用刀具-前刀面接触区刀具切屑导热(热传导)模型加以研究.该模型考虑了第一变形区的剪切能、前刀面-切屑接触区的摩擦能、运动刀屑和固定刀具之间的热平衡.用有限差分法求解温度分布,可将该模型延用到断续切削和切削厚度随时间而变化的铣削加工中.根据刀具转角,将切屑划分为微元.刀具转角是由工件主轴速度和离散时间所决定.每一个微元的温度场可看成是一阶动态系统,它的时间常数由刀具和工件材料的导热性能和前一个切屑段的初始温度所决定.瞬态温度变化的估算是依次求解连续切屑单元的一阶热传递问题.模型对连续切削稳态温度和切屑、加工过程不连续变化的断续切削的瞬态进行预报.数值模型和仿真结果与文献报告的实验温度相符.
简介:为了提高纯铜表面的耐磨性能,采用电镀/浆料包渗相结合的方法,以TiO2粉为渗Ti源,纯Al粉为还原剂,在Cu表面预镀Ni随后表面浆料包渗Ti-Al,制备Ti-Al共渗层。研究了包渗温度对Ti-Al渗层组织和耐磨性能的影响。采用SEM和XRD分析了渗层表面形貌和结构。结果表明:在800-950℃共渗12h时,随着温度的升高,渗层组织变化过程为NiAl+Ni3(Ti,Al)→NiAl+Ni3(Ti,Al)+Ni4Ti3→Ni4Ti3+NiAl→NiAl+Ni3(Ti,Al)+NiTi;Ti-Al渗层的摩擦因数随着包渗温度的升高而降低,最小摩擦因数约为纯铜的1/3,最小硬度为纯铜的5倍。
简介:在60MPa压力,5个不同的烧结温度下将ZnO?聚苯胺?聚乙烯混合粉末压制成复合陶瓷圆片,研究烧结温度的变化对其电物理性能和显微组织的影响。结果显示,烧结温度从30°C升高至120°C,击穿电压从830V降低至610V;继续提高烧结温度,击穿电压反而升高。随着烧结温度的升高,界面电压势垒的变化与击穿电压的变化相反。样品的泄露电流很低,说明材料具有低的降解速率。烧结温度越高,非线性系数变得越小。此外,各样品均有迟滞现象,随烧结温度升高至120°C,电滞回线降低;当温度继续升高时,电滞回线变宽。紫外光谱的结果显示,有3个杂质能级,且随烧结温度的升高而降低。扫描电镜的结果显示,复合材料显微组织中含有晶粒和晶界,晶界的电阻率是影响材料的压敏特性随烧结温度变化的主要因素。
简介:采用反应合成方法制备孔隙度为54.3%的高纯Ti3SiC2多孔材料,并研究其在400~1000°C下空气中的氧化行为。采用热重-差热分析法、扫描电镜、X射线衍射技术、能谱仪、拉曼光谱、BET比表面分析法和孔结构测试等研究Ti3SiC2多孔材料在氧化前后的氧化动力学、物相组成、微观形貌以及孔结构参数演变。结果表明:形成不同晶型TiO2氧化产物是影响Ti3SiC2多孔材料抗氧化性及孔结构稳定性的主要因素。由于氧化产物体积应力以及热应力的存在,因此,在400~1000°C试验过程中试样表面均出现开裂现象。其中,在400~600°C下形成的锐钛矿型TiO2会导致Ti3SiC2晶粒出现严重开裂,并引发快速氧化以及孔径和透气度的异常减小。600°C以上在氧化过程中主要形成金红石型TiO2,开裂现象得以缓解,但是氧化膜的外延生长大幅降低了Ti3SiC2多孔材料孔隙的连通性。
简介:通过光学显微镜、场发射扫描电镜和透射电镜研究热压缩过程中Mg-Zn-Er合金的显微组织及织构的演化.结果表明,温度对动态再结晶(DRX)具有很大的影响.当温度为200℃、应变量为0.6时,由于应力集中使得非基面滑移(a+c)位错被激活,孪生动态再结晶机制(TDRX)开始启动.当温度为350℃时,围绕着初始晶粒的项链状结构出现,这是典型的连续动态再结晶机制(CDRX).动态再结晶对弱化织构具有非常重要的影响,同时低温下孪生对弱化织构也起到-定的作用.研究还发现,当温度从200℃提高到350℃时,由于动态再结晶形核位点从孪晶界向初始晶界转移,织构减弱.
简介:研究烧结温度对含Mn-Nb-Tb的Zn-V-O基陶瓷显微组织和压敏性能的影响。结果表明,随着烧结温度由875°C升高到950°C,烧结陶瓷样品的密度由5.55g/cm3降低到5.45g/cm3,其平均晶粒尺寸由4.1μm增大至8.8μm,击穿场强由7443V/cm显著降低至1064V/cm。经900°C烧结的压敏陶瓷样品具有明显的非线性特性,其非线性系数为49.4,漏电流密度为0.21mA/cm2。当烧结温度由875°C升高到950°C时,Zn-V-O基陶瓷样品的介电常数由440.1增大到2197.2,其损耗因数的变化范围为0.237-0.5。因此,本研究中Zn-V-O基陶瓷组分和烧结条件有利于以银为内电极的先进多层芯片压敏电阻的开发。