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  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在Jahn-Teller畸变,进行了原位高压研究。实验表明在外加压力作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角变化,样品中晶格畸变有所减小。并且在晶格中存在两种不同畸变模式Q2和Q3,在外加压力作用下变化规律进行了讨论。由于这两种不同畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上Q2畸变模式消失,并且导致Q2畸变模式消失压力点随掺杂浓度增加增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长Si缓冲层生长温度SiGe/Si异质结结构影响。结果表明,所研究SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层生长温度变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下高温退火将改善化学配比均匀性。

  • 标签: 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓
  • 简介:考察了锆助剂含量钴基催化剂结构及费-托合成反应性能影响。结果表明,随着锆含量增加,甲烷生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散与硅胶表面,钴以一定尺寸聚集态存在;随着锆含量增加,锆覆盖硅胶表面增加,裸露硅胶表面减小,分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大,钴硅界面减小,有利于重质烃生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从钴到锆硅载体氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:用微乳液法制备了表面经硬脂酸(ST)修饰4种不同价态钴氧化合物纳米微粒。初步摸索了合成最佳条件,利用XRD,TEM,IR等测试手段制备钴纳米催化剂物相、粒子形貌和粒度及钴氧化物纳米微粒与表面活性剂有机基团间结合方式进行了表征,结果表明制得纳米微粒呈球状、粒度随热处理温度升高增大,COO-与Co(Ⅱ,Ⅲ)离子间以化学键相结合。利用流动法固定床反应器研究了钴氧化物纳米催化剂N2O催化分解活性,实验结果表明,在350℃焙烧制得Co2O3纳米粒子N2O催化分解有较好催化活性。

  • 标签: 纳米催化剂 制备 钴氧化合物 纳米微粒 N2O 催化分解
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,在最经济烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂预氧化硫脱活性影响,并脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧CuO/AC脱硫剂具有最高脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上均导致脱硫剂活性下降,尽管不同温度煅烧CuO/AC表现出大脱硫活性差异,但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在,其中Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下晶粒尺寸为10nm锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa和23.0GPa,实验结果表明,在16.3GPaTiO2发生了一次结构相变,由原来锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变是不可逆。同体材料TiO2高压相变结果比较,由于晶粒尺寸效应,纳米尺寸锐钛矿TiO2相变压力明显高于体材料相变压力。

  • 标签: 钛矿 相变压力 晶粒尺寸
  • 简介:本文扼要介绍了光束线真空控制保护系统设计思想、设计要求、系统作用和某些改进。此外,系统在设计了上采用了新技术-可编程序控制器(PLC),使控制系统可靠性和灵活性得到了进一步提高。研制这个系统主要目的是,当光束线上出现(由铍窗或波纹管等偶然破裂引起)灾难性真空事故时,能够有效地保护北京正负电子对撞机中大型超高真空装置-电子储存环真空系统不会遭到这种灾难破坏,使其安全运行。本光束线真空控制保护系统于1996年投入试运行,于1998年年底通过院级鉴定和验收。

  • 标签: BSRF 3W1光束线 真空控制保护系统 储存环
  • 简介:应用激光激发荧光谱实验经热处理后及高压条件下氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析,实验显示,热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光效率降低,前者表现为不可恢复,后者为可恢复即卸压后荧光效率恢复,表明导致荧光光谱效率降低微观机制不同,为氮碳薄膜荧光模型提供了新实验证据。

  • 标签: 氮碳薄膜 激光诱导 荧光效率 热退火
  • 简介:本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置(BSRF)上3W1高功率(总功率为2.54W)扭摆磁铁(Wiggler)光束线(包括前端区、3W1A和3W1B)而设计和建造。主要建造目的是,保护北京正负电子对撞机(BEPC)电子储存环超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生灾难性真空事故破坏,以及保护无水冷却和冷却水意外中断了光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来高功率同步辐射所损坏。此外,在活动水冷挡光罩关闭之前,为了防止快速阀阀板因过热被损坏,在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠真空控制保护系统,系统设计是以F1-60MR型可编程序控制器(PLC)为基础,PLC负责管理系统状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统设计。

  • 标签: BSRF 扭摆磁铁 设计 同步辐射光束线 真空控制保护系统 可编程序控制器
  • 简介:本文利用沉淀法制备了粒度分窄,无明显团聚ZrO2纳米微粒。考察了ZrO2纳米微粒修饰丝光沸石二甲苯异构化影响。实验结果表明,经修饰后丝光沸石催化剂能有效地抑制副反应发生,提高二甲苯异构化选择性,超微粒子修饰丝光沸石催化活性和选择性明显优地体相材料修饰样品。

  • 标签: ZrO2 纳米微粒 丝光沸石 二甲苯 异构化 催化剂
  • 简介:工业半焦经850℃水蒸气活化,浓硝酸处理,等体积浸渍硝酸铜溶液,干燥,煅烧制得新型低温CuO/AC脱硫剂,考查了脱硫剂制备参数-载铜量脱硫活性影响,并不同载铜量脱硫剂进行了TPR,EXAFS,XRD等表征,结果表明,载铜量为5-15%(w)时,脱硫剂具有较高脱硫活性;5%载Cu量为AC(活性焦)表面发生单层覆盖最大量,低于5%,活性组份CuO在AC表面高度分散,无体相CuO出现,但脱硫剂过低活性组份含量,使得脱硫活性较低;高于5%时,CuO在AC表面发生多层覆盖,且随着载铜量继续增加,活性组份矣集和内部微孔堵塞严重,致使脱硫活性出现明显下降。

  • 标签: 脱硫 CuO/AC脱硫剂 截铜量 脱硫活性
  • 简介:通过原位浸渍法把FeSO4和其它助剂共同浸渍在两种烟煤上,考察了以FeSO4为主要前驱体催化剂这两种煤直接液化活性与选择性,以及其液化产物-甲苯可溶物分子量影响作用,并通过EXAFS和SAXS表征揭示了催化剂在煤上化学态和粒径分布,结果表明:在一定反应条件下,FeSO4和两种助剂分别共浸渍在两种煤上时,煤总转化率及沥青烯和轻质产物产率均比不添加催化剂时结果提高1倍左右,与铁硫化物相比,以FeSO4为主要前驱体催化剂沥青烯和轻质产物具有较高选择性,生成重质甲苯可溶物具有较大分子量;EXAFS和SAXS表明,原位浸渍在煤上FeSO4表现为纳米相,助剂Na2S和尿素添加主要改变了Fe原子周围配位原子种类以及它们成键方式,而对其颗粒分布影响较小,催化剂在汾西煤上分布较其在兖州煤上差一些。

  • 标签: 硫酸亚铁基催化剂 烟煤液化 实验
  • 简介:采用溶胶-凝胶法,制备了不同钴含量钴钼超细粒子氧化物,将其与K2CO3干混后进行硫化。使用X-射线衍射(XRI)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)样品进行结构表征。同时测试硫化态样品CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明,不含钴氧化态样品,主要以颗粒度较大MoO2物种存在;添加钴后,样品粒子颗粒度大幅度降低,钴钼组分主要以CoMoO3物种形式存在,当钴含量增加时,CoMoO3晶形趋于改善。硫化态样品中钼以类似于MoS2物种形式存在,但粒子尺寸较小。同时,体系中还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明,适量钴添加,有利于样品硫化。活性测试表明,钴加入,明显促进含量最高。结合结构表征结果,认为钴是以协同作用方式参与反应。

  • 标签: 超细粒子 溶胶-凝胶法 K-CO-MO催化剂 低碳醇 合成 钴含量
  • 简介:利用XRD、TPR和EXAFS等手段考察了焙烧温度Cu/MnO2/ZrO2催化剂性能影响,结果表明,随着焙烧温度增加,铜配位环境发生变化,铜和锰之间相互作用增强,有效地防止铜组分在还原及反应过程中聚集长大,从而使催化剂活性显著增加,当催化剂经过高温焙烧,催化剂活性由于ZrO2结晶和铜聚集而降低。

  • 标签: Cu/MnO2/ZrO2催化剂 焙烧温度 活性测试