简介：目前有机气体污染物的净化方法主要存在控制难度大、能耗高、要求气体纯度高等缺点，尚需开发新技术。在挥发性有机化合物中，甲苯是很具代表性的物质，也是被美国ASHRAE推荐为测试气体过滤净化设备性能的模型化合物。国内利用电子束辐照处理甲苯气体的文献很少。文中对甲苯有机废气进行静态实验，初步研究了电子束辐照处理芳香类有机物甲苯的效果，分析了辐照分解产物。

简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

简介：为优化激光辐照带壳炸药热点火实验设计,探索点火规律,结合激光辐照带壳炸药PBXN-109热点火实验,建立了非线性热传导有限元模型。在分析炸药热响应及金属-炸药接触热阻对热点火过程影响规律的基础上,提出了金属-激光能量耦合系数及金属-炸药接触热阻的确定方法。结果表明：炸药热响应及金属-炸药接触热阻对炸药层温度影响较大,对金属层温度几乎没有影响。在此基础上,结合实测数据,用试错法给出了金属-激光能量耦合系数和金属-炸药接触热阻的取值,建立了激光辐照带壳炸药数值计算模型。

简介：目前治理低浓度甲苯废气的传统方法还存在很多问题，还需研发新的治理技术，为此，进行了电子束辐照处理甲苯的动态实验。

简介：利用温度场计算结果,计算了激光辐照下金属铁氧化膜厚度的增长及氧化放热;利用多层膜反射理论,结合氧化膜厚度,分析了氧化膜导致的激光吸收增强效应.结果表明,波长为1.035μm激光在功率密度为2kW·cm-2辐照期间,氧化放热对温度场的贡献很小,对工程应用来说可以忽略,而氧化膜带来的吸收增强效应影响较大,不能忽略.

简介：ZN-1阻尼材料是以丁基橡胶为基与酚醛树脂共混而成的粘弹性阻尼材料，具有损耗系数高、使用温度区域宽、转变峰的峰值温度在室温附近、抗老化性能优异等特点，在阻尼夹层结构中有着广泛的应用。

简介：激光辐照均匀性研究是激光聚变研究的一个重要问题。影响激光辐照均匀性的因素有多种。激光束的空间配置是影响激光辐照均匀性的因素之一。从激光装置的光路设计方面考虑，提出这样一个问题：在对靶球照射的对称配置的八束光中，如果其中4束光旋转45°，对靶球辐照均匀性有何影响?

简介：利用蒙特卡洛方法分析了不同束流密度0.8MeV电子辐照下介电材料导电性能的变化趋势,同时开展了0.8MeV电子辐照下聚酰亚胺(Kapton)材料导电性能实验研究.理论和实验结果表明,在0.8MeV电子辐照后,Kapton材料导电性能在不同吸收剂量率下变化较大,电导率最大可上升5个量级,电阻由1014Ω变为1012Ω,下降2个量级.

简介：对国产科学级4T-CMOS图像传感器进行电子辐照实验,考察了暗电流、饱和输出灰度值、暗信号非均匀性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。实验结果显示,随着辐照总吸收剂量的增加,器件的饱和输出灰度值下降,并且暗电流显著增加。分析认为,器件的饱和输出灰度值退化机制与电离总剂量效应引起的退化物理机理一致,辐照使转移栅沟道电势势垒下降是饱和输出灰度值下降的主要原因,而暗电流的增长主要由浅槽隔离界面缺陷和体缺陷造成。10MeV电子辐照后暗电流退化表现出一定的偏置效应,这是由10MeV电子辐照引起的位移损伤所致。

简介：分析了X射线辐照电缆的物理过程,建立了基于有限元方法的二维诺顿等效电流源计算模型,将泊松方程、电场强度、电荷守恒方程等求解过程转换为矩阵和向量运算,并利用PETSc程序包编程计算,模拟了辐射感应电导率和间隙效应对屏蔽电缆X射线辐照响应的影响。结果显示,仅考虑辐射感应电导率效应时,随着X射线注量的增加,诺顿等效电流源逐渐趋于饱和,波形宽度变窄,并逐渐变为双极性波形。仅考虑间隙效应时,诺顿等效电流源幅度与间隙宽度近似成正比;间隙效应会大幅抵消辐射感应电导率效应的影响,诺顿等效电流源幅度仍近似正比于间隙宽度。该方法实现了电缆X射线辐照非线性效应的模拟,并将计算对象扩展到屏蔽多导体电缆。

简介：研究了不同风速下激光辐照C/C复合材料的氧化速率,利用温度场计算结果,结合氧气在空气中的传质速率,计算了激光辐照下C/C复合材料氧化放热.结果表明,在亚音速的风速下,氧化对C/C复合材料烧蚀的贡献很小,因此,作为激光防护材料,可以忽略C/C复合材料在激光辐照期间的氧化烧蚀.

简介：开展了632．8nm连续激光辐照可见光JHSM36BfCMOS相机实验研究，获得了632．8nm连续激光使CMOS相机单像元饱和及全屏饱和的功率密度阈值。实验证实了CMOS比CCD抗激光干扰能力更强；连续激光比脉冲激光更容易实现对CMOS相机的干扰；分析了CMOS串扰现象与CCD的不同。用饱和面积法、相关度法和均方差法3种激光干扰图像质量评价方法，定量分析了CMOS成像受激光干扰的程度。

简介：对一款CCD进行了3MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

简介：针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的研究.通过对比辐照前后材料的性能变化,结合光在材料中的传播过程及半导体辐射效应理论,分析了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱的影响机制.结果表明：HgCdTe材料经电子辐照后,红外透射光谱发生衰退,衰退的幅度随辐照注量的增大而增大,且短波方向上的衰退幅度大于长波方向上的衰退幅度.该工作可为深入开展HgCdTe红外探测器辐射损伤效应及损伤机理的研究提供参考.

简介：针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的.通过等效^60Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的.高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试.结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退.利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式.根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据.

简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：在激光耦合强度、辐照面积和辐照时间对应相同的条件下,对单结GaAs太阳电池分别开展了波段内808nm、波段外1070nm连续激光单独辐照以及两者联合辐照实验,发现三种辐照方式对应的样品损伤程度十分接近。结合等效电路输出的I-V曲线随太阳电池参数的变化、电致发光图像及小光斑激光响应扫描测试结果对损伤机理进行了分析。结果表明：激光辐照导致太阳电池损伤的实质是PN结内缺陷增多。

简介：为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.

简介：对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响：随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.

简介：从能量守恒出发,将热解吸收的能量隐含于材料等效热容中,建立了连续激光辐照下碳纤维环氧树脂复合材料热响应的三维计算模型。在考虑辐射换热和表面对流换热的影响下,利用该模型计算了连续激光辐照下碳纤维环氧树脂复合材料的温度场和热解质量损失,并与实验结果进行了比较,两者比较吻合。结果表明：氮气流保护可以有效地抑制氧化效应,但实验中氧化过程不可避免;随激光辐照时间增大,试样质量损失逐渐增大,在长时间辐照下氧化带来的额外质量损失逐渐显现;在低功率密度下,试样以热解为主,质量损失随功率密度增大而增大,但随着功率密度升高,氧化的影响逐渐增强。