简介：本文主要介绍了S3R与S4R拓扑技术在通讯卫星电源中的应用。

简介：美国第三季度GDP环比增长3．5％，市场平均预期该数字将增长3．2％，为连续四个季度下滑后首次出现增长。

简介：本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比，该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。

简介：从近日召开的西南六省区经济协调会第20次会议上获悉，800kV云广特高压直流输电工程项目日前已经通过有关部门审查，计划于2007年开工建设，2009年建成。工程建成后将使云南澜沧江小湾、金安桥水电站等“西电东送”能源基地与广东相连接，其输电容量达500万kW。

简介：飞兆半导体公司日前推出四款30V、N沟道PowerTrenchBMOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性、能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。

简介：电子元件是“无源”元件的总称，是构成电子设备的重要组成部分，是从事电子元件设计、研发、生产、营销和应用人员应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电子元件知识”为题开展讲座，以满足广大读者增长知识和用好这些元件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿．并望提出宝贵意见。

简介：英飞凌（Infineon）公司的CoolMOSCS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

简介：手提式电子学的新一代产品，诸如电池电话、数码相机和个人数字助理(PDA)等的厂商在致力于减少手提式产品体积时还要求增加产品的功能，其中包括改善热性能和延长电池寿命。因此，设计者会继续研究上述产品的结构、元器件、布局和封装，以便提高DC～DC变换器的效率。然而提高效率的每个百分比都可转化为较长的电池寿命和更好的热处理，其结果将使上述产品具有较高的长期可靠性。

简介：作为业内唯一的集成自动化方案软件工具，B＆RAutomationStudio现在可实现对Danfoss，KEB，Lenze，Schneider和SEW变频器（变频器行业的知名品牌）的无缝集成。这一事实，得益于ETHERNETPowerlink，这一唯一开放的适用于批量生产的工业以太网网络。这样，系统中就可自由采用这些变频器，并且，与伺服驱动、I／O实现实时网络连接也轻而易举。

简介：阐述铝电解电容器漏电流产生的原因，分析了漏电流回升的问题，采用合理选择阳极箔、化成引线、严格工艺要求、适当老练及开发高品质的电解液等途径。研制成５０Ｖ低漏电流品，并通过了例行试验，取得良好的效果。

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：2013年1月13日，由北京新创椿树整流器件有限公司研发的全压接800A／1700VIGBT项目通过了电力电子行业组织和主持的科技成果鉴定会，鉴定委员会认为该项目在国内首次设计了IGBT和FRED芯片精确定位的整体模架结构，首次设计使用了IGBT芯片精密栅极组件，研究开发了用钼片补偿IGBT和FRED芯片厚度不同的精密公差配合技术，首次采用全压接平板精密陶瓷外壳结构和真空充氮冷压焊密封等技术，开发出全压接平板IGBT产品。解决了焊接IGBT模块易产生焊接空洞、焊接材料的热疲劳、键合点的脱落和单面散热效率低下等难题，具有较强的抗冲击震动和耐疲劳的能力，可靠性高。技术创新点突出，已申请相关发明专利；样品经中国北车西安永电电气有限责任公司测试，符合项目承担单位产品技术条件的要求；样品经用户试用，满足使用要求。

简介：本文介绍了辽河油田6000V／1800kW注水泵供电变频改造的情况。基中包括变频器设计及制造中的一些技术问题和改造前后注水泵运行情况的对比。

简介：世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）通力合作，开发的6500VTrenchFSIGBT（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

简介：C＆DTechnologies在其1U高度、冗余、热插拔前端电源D1U系列中又增添了1600W48V输出的产品。D1U-W-1600-48-H采用经验证的拓扑学和高密板载功率结构的技术，最大程度地提高了空间效率，可使输出线的功率密度达到70W／立方英寸。

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：本文介绍了四方V560矢量型变频器在吹膜机收卷上的成功应用。

简介：4月份主要印刷电路板（PCB）材料价格纷纷上涨，包括玻璃纤维和覆铜层压板（CCL）。受淡季影响，预计第二季度PCB需求将持续疲软。行业观察者评论说，商家是否能顺利调整材料价格尚有待确定。

简介：本文重点介绍覆铜板“无铅”化的紧迫性，相关产品的研发及初步成果。