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英飞凌低通阻抗HOSFET开关速度高达150V／ns

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摘要英飞凌（Infineon）公司的CoolMOSCS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

DOI 7dm6w96rjn/386530

作者

机构地区不详

出处《电力电子》 2005年4期

关键词导通阻抗开关速度 NS 功率MOSFET COOLMOS 低通

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2005年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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