简介：个绍由AIT2139视频转换电路组成的VGA-TV视频转换器设计原理及其实现。

简介：介绍升压型DC-DC转换器MAX1524的工作原理和特性，典型应用电路及设计方法。

简介：SynQor公司日前宣布推出一款单输出隔离式DC／DC转换器。该产品适于通过局域网、IP电话和隔离式总线电压供电应用。这款标准半砖型模块属于PowerQorTera系列，它的输出电压为52．5V，输出功率为200W，是一款采用同步整流和专利布局技术的开放式架结构转换器，满负载效率可达92％，散热性能好。

简介：PWMDC／DC转换器的设计中，为了防止出现次谐波振荡，需要引入斜坡补偿电路，而传统的斜坡补偿电路通常在加法器处会引入附加的内部反馈环路。这会极大地限制系统带宽。文中提出了一种简单的结构来实现峰值电流模式下的斜坡补偿。这样可以减小斜坡补偿中加法器对系统带宽的限制，从而可以提高系统稳定性，使转换器有更高的开关频率。仿真结果表明．这种方法能实现电压信号准确地相加。

简介：对高速A/D转换器（ADC）的结构及其时钟稳定电路的设计概念，研究对象进行了介绍，并对用于高速A/D转换器的时钟稳定电路进行了调研，从而提出了一种新的设计方法。

简介：阐述了升压DC—DC转换器芯片LM2731的工作原理。详尽介绍了LM2731的外围电路设计和器件选择方法。给出了用LM2731来驱动24个LED的实际驱动电路。

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：介绍了一种小型高效升降压拓扑结构转换器的设计方案，结合Buck—Boost转换器的具体性能要求，给出了LTC3533高效可编程升降压转换器件的工作原理和引脚定义，同时给出了LTC3533的应用电路参数设计方法。

简介：介绍了利用精密衰减器压缩数模转换器输出动态范围，等效提高数模转换器的分辨率的方法。再结合闭环温度补偿，设计出程控高精度电压发生器。以低成本的数模转换器取代昂贵的高精密电压源。

简介：奥地利微电子公司（SWX）发布一款降压-升压型转换器AS1331．进一步丰富了其DC—DC产品系列。AS1331的拓扑结构可实现降压和升压模式间的平滑转换，非常适用于两或三节碱性／镍镉／镍氢电池及单节锂离子电池应用。

简介：日前，德州仪器（TI）宣布推出一款支持3．1V至17V输入电压的1．5ADC／DC降压转换器一TPS62110。该小型集成电路（IC）的功率效率高达95％，能够显著延长依靠两至三节锂电池（或电源电压为12V的）供电的工业手持设备、便携式测试设备以及消费类电子设备的电池使用寿命。

简介：Vishay公司日前宣布推出占位面积为2525，厚度仅为3．0毫米且具有1．0μH～22μH电感值的新型器件，从而扩展了其超薄、高电流的IHLP电感器系列。

简介：详细介绍美信公司的12位模／数转换器MAX1239与嵌入式计算机MSP430F413组成的数据采集系统的接口设计，同时给出模／数转换器MAX1239的特性及应用。

简介：安森美半导体（ONSemiconductor）推出新的6瓦（W）发光二极管（LED）驱动器——CAT4106，该器件具有集成的大功率直流一直流（DC—DC）升压转换器，以及片上诊断功能．能提升能效高，可应用于较大尺寸的通用液晶显示（LCD）面板背光。

简介：本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50％以上。为进一步改善器件特性，一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中，使得反向恢复电荷减少了将近20％-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中，能提供1．5％的最高效率改进。

简介：凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出60V、1MHz、降压型DC／DC转换器LT3597．该器件设计成作为3通道、恒定电流LED驱动器工作。LT3597的每个通道都含有一个吸收恒定电流的LED驱动器和专用的自适应输出降压型转换器。这种设计为RGB显示器等应用提供了最高效率，在这类应用中，每个LED串需要不同的输出电压。在48V输入时．

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：应用于EV/HFV（电动汽车和混合电动汽车）转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型（6-pack）IGBT模块。采取的创新措施有：采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3（氧化铝）,而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4（氮化硅）;开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

简介：1出版信息清华大学蔡宣三教授和北京理工大学龚绍文教授合著的《高频功率电子学》一书已由中国水利水电出版社2009年6月在北京出版。

简介：介绍一种利用推挽变换、倍压整流电路实现高压输出电源的设计方案．着重介绍了开关电源主电路、高压变压器以及可靠性热设计的具体方法，最后给出了设计的测试结果。