学科分类
/ 2
22 个结果
  • 简介:挠性印制配线板(FPC),薄而能弯曲的优越特性,电子设备用的配线材料多数采用它。伴随着电子设备的轻薄短小,高功能化与其对应的FPC市埸连续扩大增长。FPC的用途从原来的HDD、数字彩争摄像机,近年来LCD及携带电话急需的扩大,同时又开发车载用的FPC。

  • 标签: FPC 压延铜箔 电子设备 高功能化 配线板 HDD
  • 简介:本文以IPC/JEDECJ—STD-020和IPC/JEDECJ—STD-033为基础,介绍了潮湿敏感器件在再流焊接中失效的原因和表现以及MSD的分级、处理、包装、运输和使用中的操作要求。

  • 标签: 潮湿敏感器件 再流焊接 分级 干燥包装 烘烤
  • 简介:本文介绍了一种基于FPGA的双输入单输出模糊控制器的简化设计,并根据控制器的要求利用超高速集成电路硬件描述语言VIID(VeryHighSpeedIntegratedCircuitHardwareDescriptionLanguage)设计了加法器、减法器等运算器。整个设计过程采用自定向下的设计方法,并在MAXPLUSⅡ10.2环境下通过编译和仿真。

  • 标签: FPGA 模糊控制器 VHDL 自顶向下
  • 简介:1997年eupec制造出了它的第一个具备完整保护功能的8kV光直接触发晶闸管。自那时起,eupec售出了10000多只不同尺寸和不同阻断电压的光直接触发晶闸管(LTT)。LTT由于阻断电压高的显著优点和易于实现光触发而被用于高压直流输电(HVDC)。LTT集成了多种保护功能,因此不再需要电触发晶闸管(ETT)的外部保护电路通常所需的昂贵而灵敏的电子元件。LTT用在需要晶闸管串联的高电压应用中。典型的例子有HVDC装置、静态VAR补偿器(SVC)、中压驱动中的变流器和软启动器以及各种脉冲功率应用。为了展示LTT的优异性能,首先需要关注的是系统成本和可靠性。

  • 标签: 光直接触发晶闸管 过压保护 负载电路 高压直流输电
  • 简介:针对目前国内文献对连铸机电磁搅拌这一应用技术很少详细介绍的现状,本文介绍莱钢矩形坯连铸机使用进口ABB结晶器电磁搅拌设备的性能、应用效果、检查、保养、安装等维修过程,以及问题的处理和完善改进等方法,为使用类似设备提供借鉴。

  • 标签: PLC 变频器 电磁搅拌器 整流器 结晶器
  • 简介:江淮汽车5月l7日在互动平台表示,公司新能源基地预计2018年6月达到预定可使用状态。公司与蔚来之间的合作将按照计划约定执行,目前双方正在集中精力做好ES8的高品质量产、交付的准备工作,以及后续第二款车型ES6的合作事宜。

  • 标签: 使用状态 能源基地 预定 预计 汽车 江淮
  • 简介:介绍了在嵌入式系统中利用CH375对U盘进行读写的实现方法;同时介绍了USB总线接口芯片CH375的主要特点及FAT文件系统的组成。给出了USB的接口电路和软件流程。

  • 标签: USB—HOST FAT文件系统 CH375
  • 简介:找出电子设计中的散热障碍和散热捷径:明导公司的FIoTHERM是电子行业垂直市场领先的CFD散热分析解决方案。FIoTHERMV9版本添加了创新的后处理技术,开启了热分析的一个新境界,帮助工程师理解为什么一个设计会过热。两个新研发的定量方法和显示技术协助FIoTHERMV9用户将他们的设计中关键的,在过去是抽象的热特征形象化:

  • 标签: 电子设计 散热分析 热障 后处理技术 电子行业 明导公司
  • 简介:反向阻断型IGBT(RB-IGBT)是一种具备承受正反向电压能力的新型器件,以它为基础,本文研究了一种4kW,可控相移全桥零电流关断(ZCS)DC/DC功率变换器。本文首先简单介绍了反向阻断型IGBT器件和这种功率变换器的理论分析,如工作阶段分析和零电流关断的条件,随后给出了在4kW变换器样机所得到的实验结果。

  • 标签: DC/DC功率变换器 IGBT器件 反向电压 ZCS 阻断 DC/DC功率变换器
  • 简介:由信息产业部经济运行司发布的上半年我国电子信息产业经济运行分析报告表明,今年以来,我国电子信息产业在党和国家各项经济政策的指导和扶持下,全行业紧紧抓住国际经济全面复苏和国内市场不断升温的良好机遇,努力开拓国内外市场,不断调整产品结构,经济运行继续保持了良好发展态势。全行业发展速度快速提升,出口大幅度增加,产销衔接继续趋好,经济效益不断改善.经济运行质量明显好于上年。

  • 标签: 电子信息产业 中国 经济运行情况 上半年 产销衔接 国际经济
  • 简介:介绍了TH558型大功率金属陶瓷四极管的结构特点,同时结合实际使用情况给出了TH558在短波发射机中的应用与维护注意事项。

  • 标签: 四极管 TH558 金属陶瓷器件 灯丝电压
  • 简介:无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构(ITTF)的功耗。为尽量保证比较有意义,我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入/输出条件。结果表明,与次好的MOSFET移相ZVS桥相比,新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

  • 标签: 大功率 硬开关 拓扑电路 MOSFET 功率转换电路 AC/DC