简介:阐述了直接转矩控制系统的发明和发展,指出其控制原理和方案的特点,特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后,对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较,指出各自的优缺点和发展方向。
简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:1997年eupec制造出了它的第一个具备完整保护功能的8kV光直接触发晶闸管。自那时起,eupec售出了10000多只不同尺寸和不同阻断电压的光直接触发晶闸管(LTT)。LTT由于阻断电压高的显著优点和易于实现光触发而被用于高压直流输电(HVDC)。LTT集成了多种保护功能,因此不再需要电触发晶闸管(ETT)的外部保护电路通常所需的昂贵而灵敏的电子元件。LTT用在需要晶闸管串联的高电压应用中。典型的例子有HVDC装置、静态VAR补偿器(SVC)、中压驱动中的变流器和软启动器以及各种脉冲功率应用。为了展示LTT的优异性能,首先需要关注的是系统成本和可靠性。
简介:由于电力电子驱动应用要求不断增加,并越来越重要。为满足未来需求,电力电子控制算法也应该在减少纹波电流和增强鲁棒性的同时,能够快速处理非线性和未知负载。逆变控制有两种基本原理一直接电流控制和间接电流控制。迄今为止,间接电流控制器(例如通过PWM或空间矢量调制)与直接电流调制比较,应用更广泛。然而,直接电流控制器的快速性、鲁棒性能够很好的适应于处理未知甚至是非线性的负载,因而,似乎更适应于未来的需要。但是其中的一个明显不足在于它是用模拟技术来实现的。漂移、温度的影响等非常明显。本文提出了一种新的高速全数字直接电流控制器。该控制器在10MHZ下工作。能够满足未来的需要,并能够处理非线性负载,克服模拟直流控制器的不足。
简介:介绍了一种电磁频谱监测设备的系统组成,给出了基于可编程逻辑阵列FPGA和DSP器件数字信号处理器TS101等器件组成的信号处理机的硬件设计方法和系统工作流程.最后给出了系统的主要性能指标。